與u-blox在芯片組和模塊饋電貼片各尺寸和之間耦合間距
發(fā)布時間:2021/12/25 18:02:48 訪問次數(shù):791
ANNA-B4模塊,這是一款功能豐富、超緊湊的藍(lán)牙5.1系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊。ANNA-B4是智能照明網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)斷路器,以及制造現(xiàn)場、倉庫、醫(yī)院和智能城市等惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)室內(nèi)定位的理想之選。
結(jié)合Nordic nRF52833芯片組的功能集與u-blox在芯片組和模塊設(shè)計方面的專長,ANNA-B4支持藍(lán)牙m(xù)esh、遠(yuǎn)距離傳輸和側(cè)向功能、以及Thread和Zigbee,內(nèi)置集成天線,尺寸僅為6.5 x 6.5 mm,工作溫度高達(dá)105℃,并已獲得全球認(rèn)證。
下層饋電貼片采用帶狀線側(cè)饋的饋電方式,上層采用電磁耦合饋電的饋電方式。通過調(diào)節(jié)耦合貼片與饋電貼片的各尺寸和之間的耦合間距,可以達(dá)到擴(kuò)寬帶寬的效果。
天線垂直擺放,故Theta=90Phi=90°是天線最大輻射方向,即Phi=n/4=0.785398。由表1可以看出,最大增益方向上軸比約為4dB。
非易失性鐵電隨機(jī)存儲器(FeRAM)原型,存儲密度達(dá)128Mb,讀寫速度為1.6 GB/s,將重新設(shè)定存儲密度和運(yùn)行速度的業(yè)界基準(zhǔn)。
該存儲器改進(jìn)了公司原來的鏈?zhǔn)紽eRAM架構(gòu)(芯片調(diào)節(jié)的一種常見折衷方式),可防止單元信號退化。該器件實(shí)現(xiàn)了將FeRAM的存儲密度調(diào)高至128Mb。
此外,獨(dú)特的電路設(shè)計可預(yù)測并控制電源波動,并集成有DDR2接口,可以較高的吞吐量和較低的功耗最大化數(shù)據(jù)傳輸速率。
(素材來源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
ANNA-B4模塊,這是一款功能豐富、超緊湊的藍(lán)牙5.1系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊。ANNA-B4是智能照明網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)斷路器,以及制造現(xiàn)場、倉庫、醫(yī)院和智能城市等惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)室內(nèi)定位的理想之選。
結(jié)合Nordic nRF52833芯片組的功能集與u-blox在芯片組和模塊設(shè)計方面的專長,ANNA-B4支持藍(lán)牙m(xù)esh、遠(yuǎn)距離傳輸和側(cè)向功能、以及Thread和Zigbee,內(nèi)置集成天線,尺寸僅為6.5 x 6.5 mm,工作溫度高達(dá)105℃,并已獲得全球認(rèn)證。
下層饋電貼片采用帶狀線側(cè)饋的饋電方式,上層采用電磁耦合饋電的饋電方式。通過調(diào)節(jié)耦合貼片與饋電貼片的各尺寸和之間的耦合間距,可以達(dá)到擴(kuò)寬帶寬的效果。
天線垂直擺放,故Theta=90Phi=90°是天線最大輻射方向,即Phi=n/4=0.785398。由表1可以看出,最大增益方向上軸比約為4dB。
非易失性鐵電隨機(jī)存儲器(FeRAM)原型,存儲密度達(dá)128Mb,讀寫速度為1.6 GB/s,將重新設(shè)定存儲密度和運(yùn)行速度的業(yè)界基準(zhǔn)。
該存儲器改進(jìn)了公司原來的鏈?zhǔn)紽eRAM架構(gòu)(芯片調(diào)節(jié)的一種常見折衷方式),可防止單元信號退化。該器件實(shí)現(xiàn)了將FeRAM的存儲密度調(diào)高至128Mb。
此外,獨(dú)特的電路設(shè)計可預(yù)測并控制電源波動,并集成有DDR2接口,可以較高的吞吐量和較低的功耗最大化數(shù)據(jù)傳輸速率。
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