氮化鎵因其卓越的射頻性能成為5GmMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。

然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴的光刻技術(shù)，生產(chǎn)成本特別高。最初嘗試在硅晶圓上生長氮化鎵，但由于性能不佳和不具有成本優(yōu)勢，沒有被市場采納。這種情況正在改變。

我們描述了一種在8英寸工藝上運(yùn)行的新的硅基氮化鎵技術(shù)，它滿足所有的技術(shù)要求，并提供有商業(yè)吸引力的經(jīng)濟(jì)效益。

WM9081內(nèi)置的寄存器寫入定序器將軟件開發(fā)時間降至最短。許多信號路徑（如DAC到揚(yáng)聲器的模式）僅通過一次寄存器寫入就可以實現(xiàn)啟動和禁用,內(nèi)部定序器在WM9081內(nèi)分別啟動預(yù)編程的多次寫入，卸載處理器和WM9081之間的控制接口通信。

現(xiàn)已可提供WM9081全面的評估系統(tǒng)，包括評估版、完整電路圖、Linux驅(qū)動器和歐勝互動設(shè)置配置環(huán)境(WISCE),后者一個可下載的軟件圖形化用戶界面,它支持開發(fā)人員對寄存器圖的互動版本進(jìn)行實時修改,在開發(fā)軟件設(shè)置時同時調(diào)整器件的配置。

射頻功率放大器仍然是5GmMIMO無線電中的關(guān)鍵設(shè)備,是無線傳輸前的最后一個有源器件,基站高達(dá)50%的能耗在這里。

因此,限制設(shè)備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和運(yùn)營至關(guān)重要。

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