氮化鎵射頻器件的開發(fā)是為了滿足軍事應(yīng)用(如雷達(dá))對(duì)高功率,寬帶寬和高頻率的需求。

與LDMOS相比,氮化鎵具有更高的臨界電場和通道中載流子密度最大的固有優(yōu)勢，這意味著更高的功率密度,在給定的輸出功率下具有更高的阻抗,并且隨頻率升高效率的下降。

MLX90421和MLX90422提供SOIC-8和無PCB DMP-4形式的單芯片封裝。

在軍事應(yīng)用中具有吸引力的屬性，也使氮化鎵在無線基礎(chǔ)設(shè)施中具有吸引力，特別是高功率密度——通常是LDMOS晶體管的5倍——與低寄生電容相結(jié)合，這使該器件能夠支持更寬的調(diào)制帶寬。

以提高功率MOSFET的擊穿電壓,4橫向擴(kuò)散結(jié)構(gòu)5,6的性能、堅(jiān)固性和易用性超過了硅雙極晶體管，LDMOS在1990年代成為主流射頻功率技術(shù)。

LDMOS一直是無線基礎(chǔ)設(shè)施中高功率發(fā)射級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，在3GHz以下都有出色的表現(xiàn)。在GaN HEMT出現(xiàn)之前，由于在8英寸硅襯底上制造器件具有固有的成本優(yōu)勢，并且與標(biāo)準(zhǔn)硅工藝完全兼容，LDMOS在無線基站市場上一直難以被取代。

市場向更高頻率發(fā)展的趨勢也有利于氮化鎵晶體管，隨著功率和頻率的增加，它能保持更高的峰值效率,即使超過2GHz，GaN功率放大器的效率還能超過80%。

這個(gè)效率優(yōu)勢對(duì)5G和未來的通信系統(tǒng)越來越重要。

硅基氮化鎵——成本一直是限制氮化鎵用于無線基礎(chǔ)設(shè)施等成本敏感型應(yīng)用的一個(gè)主要因素。這對(duì)于2GHz和更低頻率的應(yīng)用來說尤其如此，因?yàn)樵谶@個(gè)頻段LDMOS和GaN之間的性能差距并不明顯。為了解決SiC基GaN的高成本問題，自21世紀(jì)初以來，人們一直在追求在Si襯底上生長GaN。