焊接分立電子元件時(shí)選用25W電烙鐵體積和分子間的引力
發(fā)布時(shí)間:2022/2/9 19:38:50 訪問(wèn)次數(shù):224
電路板未鍍銀的或鍍銀后已發(fā)黑的,要清除氧化層并涂上松香酒精溶液,確認(rèn)元件焊腳位置并插入孔內(nèi),剪去多余部分后下焊,每次下焊時(shí)間不得超過(guò)2s;
焊接分立電子元件時(shí)選用25W電烙鐵,焊頭要稍尖,含錫量以滿足1個(gè)焊點(diǎn)的需要為度,焊好后應(yīng)快速提起焊頭。
焊接集成塊時(shí),工作臺(tái)應(yīng)覆蓋可靠接地的金屬薄板,集成塊不可與臺(tái)面經(jīng)常摩擦,集成塊焊接需要彎曲時(shí)不可用力過(guò)猛,焊接時(shí)要防止落錫過(guò)多。
外界加入1kg(千克)靜止氣體的熱量全部轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w的內(nèi)能。它與氣體溫度的關(guān)系可表示為:dg=cpdT
cv稱為定容比熱,即氣體內(nèi)能的增量等于氣體溫度增量與定容比熱的乘積。
為計(jì)算方便起見(jiàn),把氣體的內(nèi)能和功合在一起,稱為氣體的焓。只有在等壓條件下,對(duì)外作功為零,焓的增量在數(shù)值上正好等于外界加入氣體的熱量。
等壓加熱時(shí),外界加人氣體的熱量與氣體溫度的關(guān)系可表示為:dg=cpdt
克勞修斯說(shuō)法:“不可能由低溫物體向高溫物體傳送熱量而不引起其他變化”。

僅部分能量是熱的形式,其余的能量表現(xiàn)為速度。
理想氣體的狀態(tài)方程只有當(dāng)氣體壓力不太大和溫度不太低的時(shí)候,才可以近似地把氣體看作理想氣體,這時(shí)候可以忽略氣體分子本身的體積和分子間的引力。
對(duì)于1kg質(zhì)量的氣體,理想氣體狀態(tài)參數(shù)之間的一般關(guān)系式即理想氣體狀態(tài)方程:pv=RT
其他氣體的氣體常數(shù)可用下式計(jì)算R=8314/`ur
電路板未鍍銀的或鍍銀后已發(fā)黑的,要清除氧化層并涂上松香酒精溶液,確認(rèn)元件焊腳位置并插入孔內(nèi),剪去多余部分后下焊,每次下焊時(shí)間不得超過(guò)2s;
焊接分立電子元件時(shí)選用25W電烙鐵,焊頭要稍尖,含錫量以滿足1個(gè)焊點(diǎn)的需要為度,焊好后應(yīng)快速提起焊頭。
焊接集成塊時(shí),工作臺(tái)應(yīng)覆蓋可靠接地的金屬薄板,集成塊不可與臺(tái)面經(jīng)常摩擦,集成塊焊接需要彎曲時(shí)不可用力過(guò)猛,焊接時(shí)要防止落錫過(guò)多。
外界加入1kg(千克)靜止氣體的熱量全部轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w的內(nèi)能。它與氣體溫度的關(guān)系可表示為:dg=cpdT
cv稱為定容比熱,即氣體內(nèi)能的增量等于氣體溫度增量與定容比熱的乘積。
為計(jì)算方便起見(jiàn),把氣體的內(nèi)能和功合在一起,稱為氣體的焓。只有在等壓條件下,對(duì)外作功為零,焓的增量在數(shù)值上正好等于外界加入氣體的熱量。
等壓加熱時(shí),外界加人氣體的熱量與氣體溫度的關(guān)系可表示為:dg=cpdt
克勞修斯說(shuō)法:“不可能由低溫物體向高溫物體傳送熱量而不引起其他變化”。

僅部分能量是熱的形式,其余的能量表現(xiàn)為速度。
理想氣體的狀態(tài)方程只有當(dāng)氣體壓力不太大和溫度不太低的時(shí)候,才可以近似地把氣體看作理想氣體,這時(shí)候可以忽略氣體分子本身的體積和分子間的引力。
對(duì)于1kg質(zhì)量的氣體,理想氣體狀態(tài)參數(shù)之間的一般關(guān)系式即理想氣體狀態(tài)方程:pv=RT
其他氣體的氣體常數(shù)可用下式計(jì)算R=8314/`ur
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