天線開關(guān)及MIPI RFFE控制器和軟開關(guān)拓?fù)?/h1>

發(fā)布時(shí)間:2022/2/27 20:54:11 訪問次數(shù):257

PW4000發(fā)動(dòng)機(jī)燃油計(jì)量裝置(FMU),燃油燃燒過程要經(jīng)過霧化、蒸發(fā)、混合、燃燒。

燃油噴嘴可分為霧化型和汽化型(蒸發(fā)管)。燃油噴嘴是燃油系統(tǒng)的最終部件,其基本功能是執(zhí)行燃油霧化或汽化的任務(wù),以保證燃油快速燃燒。當(dāng)考慮到來自壓氣機(jī)的氣流速度以及必須完成燃燒的燃燒室長度較短,這一過程包含的許多困難是顯而易見的。

霧化是燃油流被破碎成極細(xì)的油珠的過程,液滴越細(xì),蒸發(fā)越快。燃油霧化的早期方法是將其通過一個(gè)漩渦室,這里切向分布的孔或槽通過將壓力能轉(zhuǎn)變?yōu)閯?dòng)能使燃油產(chǎn)生旋渦。

高壓600V超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。

新的第2.5 代 (2.5G) 600V SJ MOSFET 采用基于最新工藝技術(shù)的開發(fā)，與前幾代相比，開關(guān)性能提高了 10%以上。

600V SJ MOSFET 的新產(chǎn)品系列涵蓋190~580mOhm 的 Rds(on)（漏源導(dǎo)通電阻），并采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，例如DPAK TO-220F和TO-220SF。因此，這些新的2.5代產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電視、照明基礎(chǔ)設(shè)施、快速充電器、適配器、PC 電源和工業(yè)電源等產(chǎn)品和應(yīng)用。它們也非常適合硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洹?/span>

除了模塊本身，Silicon Witchery 還發(fā)布了兩個(gè)開發(fā)套件：S1 Popout Board，它為模塊提供IO功能配置，為 Cortex 微處理器提供調(diào)試端口，以及一個(gè)用于鋰聚合物電池和一個(gè)StemmaQT/Qwiic的端口。支持外部傳感器的兼容端口。

帶偏置控制器的寬帶功率放大器 (PA)、Tx低通諧波濾波器、天線開關(guān)以及MIPI RFFE控制器。

此模塊的PA負(fù)載線進(jìn)行了優(yōu)化，不僅效率高，而且在LTE占用多達(dá)6個(gè)RB時(shí)滿足3GPP ACLR和頻譜發(fā)射掩模測量指標(biāo)。

PW4000發(fā)動(dòng)機(jī)燃油計(jì)量裝置(FMU),燃油燃燒過程要經(jīng)過霧化、蒸發(fā)、混合、燃燒。

燃油噴嘴可分為霧化型和汽化型(蒸發(fā)管)。燃油噴嘴是燃油系統(tǒng)的最終部件,其基本功能是執(zhí)行燃油霧化或汽化的任務(wù),以保證燃油快速燃燒。當(dāng)考慮到來自壓氣機(jī)的氣流速度以及必須完成燃燒的燃燒室長度較短,這一過程包含的許多困難是顯而易見的。

霧化是燃油流被破碎成極細(xì)的油珠的過程,液滴越細(xì),蒸發(fā)越快。燃油霧化的早期方法是將其通過一個(gè)漩渦室,這里切向分布的孔或槽通過將壓力能轉(zhuǎn)變?yōu)閯?dòng)能使燃油產(chǎn)生旋渦。

高壓600V超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。

新的第2.5 代 (2.5G) 600V SJ MOSFET 采用基于最新工藝技術(shù)的開發(fā)，與前幾代相比，開關(guān)性能提高了 10%以上。

600V SJ MOSFET 的新產(chǎn)品系列涵蓋190~580mOhm 的 Rds(on)（漏源導(dǎo)通電阻），并采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，例如DPAK TO-220F和TO-220SF。因此，這些新的2.5代產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電視、照明基礎(chǔ)設(shè)施、快速充電器、適配器、PC 電源和工業(yè)電源等產(chǎn)品和應(yīng)用。它們也非常適合硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洹?/span>

除了模塊本身，Silicon Witchery 還發(fā)布了兩個(gè)開發(fā)套件：S1 Popout Board，它為模塊提供IO功能配置，為 Cortex 微處理器提供調(diào)試端口，以及一個(gè)用于鋰聚合物電池和一個(gè)StemmaQT/Qwiic的端口。支持外部傳感器的兼容端口。

帶偏置控制器的寬帶功率放大器 (PA)、Tx低通諧波濾波器、天線開關(guān)以及MIPI RFFE控制器。

此模塊的PA負(fù)載線進(jìn)行了優(yōu)化，不僅效率高，而且在LTE占用多達(dá)6個(gè)RB時(shí)滿足3GPP ACLR和頻譜發(fā)射掩模測量指標(biāo)。

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