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CSS調(diào)制遠(yuǎn)程低功率通信IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%

發(fā)布時(shí)間:2022/2/16 13:26:14 訪問(wèn)次數(shù):490

LoRa是在物理層中使用的調(diào)制技術(shù),通過(guò)使用CSS調(diào)制實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程低功率通信,擁有很強(qiáng)的抗干擾能力和低信噪比水平。LoRaWAN與藍(lán)牙類似,但它為小數(shù)據(jù)包提供了更長(zhǎng)的傳輸范圍,并且功耗較低。

根據(jù)LoRa聯(lián)盟的數(shù)據(jù),截至2019年4月,全球55個(gè)國(guó)家已經(jīng)建立了113個(gè)LoRaWAN網(wǎng)絡(luò),而NB-IoT網(wǎng)絡(luò)約為90個(gè)。

在天然氣、水設(shè)施以及智能電表等公用事業(yè),LoRaWAN的市場(chǎng)表現(xiàn)最為突出。根據(jù)ABI的調(diào)研,中國(guó)是智能表計(jì)項(xiàng)目中LoRaWAN的早期采用者,約占全球2018年出貨芯片的65%。

Tower半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)的專業(yè)技術(shù)組合、地域覆蓋范圍、深厚的客戶關(guān)系及服務(wù)至上的經(jīng)營(yíng)理念,將有助于擴(kuò)大英特爾的代工服務(wù),并推進(jìn)英特爾成為全球主要代工產(chǎn)能供應(yīng)商的目標(biāo)。

這項(xiàng)交易能讓英特爾提供極其廣泛的先進(jìn)節(jié)點(diǎn),并在成熟節(jié)點(diǎn)上提供差異化專業(yè)技術(shù)。在半導(dǎo)體需求空前高漲的時(shí)代,為現(xiàn)有和未來(lái)的客戶開(kāi)啟全新機(jī)遇。

作為IDM 2.0戰(zhàn)略的重要一環(huán),英特爾于2021年3月成立了英特爾代工服務(wù)事業(yè)部(IFS),基于美國(guó)和歐洲,面向全球客戶提供服務(wù),以幫助滿足全球?qū)Π雽?dǎo)體制造產(chǎn)能日益增長(zhǎng)的需求。

英特爾代工服務(wù)(IFS)目前提供領(lǐng)先的制程工藝和封裝技術(shù),在美國(guó)、歐洲及日后的世界其它地區(qū)的承諾產(chǎn)能,和廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)組合。

子單元存放時(shí)間較長(zhǎng)的IGBT 器件子單元總洞空率范圍0.23%-9.41%,最大空洞率范圍0.04%- 4.9%;子單元存放時(shí)間較短的IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%,最大空洞率范圍0-0.33%,由此可見(jiàn),子單元存放時(shí)間越短,空洞率范圍更小。

子單元存放時(shí)間長(zhǎng)短會(huì)影響IGBT 焊接空洞率,存放時(shí)間越短顯著降低了較大空洞的比例,使得空洞率的分布更加均勻, 從而增加IGBT 器件可靠性。

目前針對(duì)來(lái)料存放時(shí)長(zhǎng)的研究較少,本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),采用短期存放子單元封裝的器件使子單元總空洞率由0.23% ~ 9.41% 減少到0 ~ 1.67%,提供了一種新的降低空洞率的方法和思路。




LoRa是在物理層中使用的調(diào)制技術(shù),通過(guò)使用CSS調(diào)制實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程低功率通信,擁有很強(qiáng)的抗干擾能力和低信噪比水平。LoRaWAN與藍(lán)牙類似,但它為小數(shù)據(jù)包提供了更長(zhǎng)的傳輸范圍,并且功耗較低。

根據(jù)LoRa聯(lián)盟的數(shù)據(jù),截至2019年4月,全球55個(gè)國(guó)家已經(jīng)建立了113個(gè)LoRaWAN網(wǎng)絡(luò),而NB-IoT網(wǎng)絡(luò)約為90個(gè)。

在天然氣、水設(shè)施以及智能電表等公用事業(yè),LoRaWAN的市場(chǎng)表現(xiàn)最為突出。根據(jù)ABI的調(diào)研,中國(guó)是智能表計(jì)項(xiàng)目中LoRaWAN的早期采用者,約占全球2018年出貨芯片的65%。

Tower半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)的專業(yè)技術(shù)組合、地域覆蓋范圍、深厚的客戶關(guān)系及服務(wù)至上的經(jīng)營(yíng)理念,將有助于擴(kuò)大英特爾的代工服務(wù),并推進(jìn)英特爾成為全球主要代工產(chǎn)能供應(yīng)商的目標(biāo)。

這項(xiàng)交易能讓英特爾提供極其廣泛的先進(jìn)節(jié)點(diǎn),并在成熟節(jié)點(diǎn)上提供差異化專業(yè)技術(shù)。在半導(dǎo)體需求空前高漲的時(shí)代,為現(xiàn)有和未來(lái)的客戶開(kāi)啟全新機(jī)遇。

作為IDM 2.0戰(zhàn)略的重要一環(huán),英特爾于2021年3月成立了英特爾代工服務(wù)事業(yè)部(IFS),基于美國(guó)和歐洲,面向全球客戶提供服務(wù),以幫助滿足全球?qū)Π雽?dǎo)體制造產(chǎn)能日益增長(zhǎng)的需求。

英特爾代工服務(wù)(IFS)目前提供領(lǐng)先的制程工藝和封裝技術(shù),在美國(guó)、歐洲及日后的世界其它地區(qū)的承諾產(chǎn)能,和廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)組合。

子單元存放時(shí)間較長(zhǎng)的IGBT 器件子單元總洞空率范圍0.23%-9.41%,最大空洞率范圍0.04%- 4.9%;子單元存放時(shí)間較短的IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%,最大空洞率范圍0-0.33%,由此可見(jiàn),子單元存放時(shí)間越短,空洞率范圍更小。

子單元存放時(shí)間長(zhǎng)短會(huì)影響IGBT 焊接空洞率,存放時(shí)間越短顯著降低了較大空洞的比例,使得空洞率的分布更加均勻, 從而增加IGBT 器件可靠性。

目前針對(duì)來(lái)料存放時(shí)長(zhǎng)的研究較少,本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),采用短期存放子單元封裝的器件使子單元總空洞率由0.23% ~ 9.41% 減少到0 ~ 1.67%,提供了一種新的降低空洞率的方法和思路。




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