CSS調(diào)制遠(yuǎn)程低功率通信IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%
發(fā)布時(shí)間:2022/2/16 13:26:14 訪問(wèn)次數(shù):490
LoRa是在物理層中使用的調(diào)制技術(shù),通過(guò)使用CSS調(diào)制實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程低功率通信,擁有很強(qiáng)的抗干擾能力和低信噪比水平。LoRaWAN與藍(lán)牙類似,但它為小數(shù)據(jù)包提供了更長(zhǎng)的傳輸范圍,并且功耗較低。
根據(jù)LoRa聯(lián)盟的數(shù)據(jù),截至2019年4月,全球55個(gè)國(guó)家已經(jīng)建立了113個(gè)LoRaWAN網(wǎng)絡(luò),而NB-IoT網(wǎng)絡(luò)約為90個(gè)。
在天然氣、水設(shè)施以及智能電表等公用事業(yè),LoRaWAN的市場(chǎng)表現(xiàn)最為突出。根據(jù)ABI的調(diào)研,中國(guó)是智能表計(jì)項(xiàng)目中LoRaWAN的早期采用者,約占全球2018年出貨芯片的65%。
Tower半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)的專業(yè)技術(shù)組合、地域覆蓋范圍、深厚的客戶關(guān)系及服務(wù)至上的經(jīng)營(yíng)理念,將有助于擴(kuò)大英特爾的代工服務(wù),并推進(jìn)英特爾成為全球主要代工產(chǎn)能供應(yīng)商的目標(biāo)。
這項(xiàng)交易能讓英特爾提供極其廣泛的先進(jìn)節(jié)點(diǎn),并在成熟節(jié)點(diǎn)上提供差異化專業(yè)技術(shù)。在半導(dǎo)體需求空前高漲的時(shí)代,為現(xiàn)有和未來(lái)的客戶開(kāi)啟全新機(jī)遇。
作為IDM 2.0戰(zhàn)略的重要一環(huán),英特爾于2021年3月成立了英特爾代工服務(wù)事業(yè)部(IFS),基于美國(guó)和歐洲,面向全球客戶提供服務(wù),以幫助滿足全球?qū)Π雽?dǎo)體制造產(chǎn)能日益增長(zhǎng)的需求。
英特爾代工服務(wù)(IFS)目前提供領(lǐng)先的制程工藝和封裝技術(shù),在美國(guó)、歐洲及日后的世界其它地區(qū)的承諾產(chǎn)能,和廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)組合。
子單元存放時(shí)間較長(zhǎng)的IGBT 器件子單元總洞空率范圍0.23%-9.41%,最大空洞率范圍0.04%- 4.9%;子單元存放時(shí)間較短的IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%,最大空洞率范圍0-0.33%,由此可見(jiàn),子單元存放時(shí)間越短,空洞率范圍更小。
子單元存放時(shí)間長(zhǎng)短會(huì)影響IGBT 焊接空洞率,存放時(shí)間越短顯著降低了較大空洞的比例,使得空洞率的分布更加均勻, 從而增加IGBT 器件可靠性。
目前針對(duì)來(lái)料存放時(shí)長(zhǎng)的研究較少,本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),采用短期存放子單元封裝的器件使子單元總空洞率由0.23% ~ 9.41% 減少到0 ~ 1.67%,提供了一種新的降低空洞率的方法和思路。
LoRa是在物理層中使用的調(diào)制技術(shù),通過(guò)使用CSS調(diào)制實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程低功率通信,擁有很強(qiáng)的抗干擾能力和低信噪比水平。LoRaWAN與藍(lán)牙類似,但它為小數(shù)據(jù)包提供了更長(zhǎng)的傳輸范圍,并且功耗較低。
根據(jù)LoRa聯(lián)盟的數(shù)據(jù),截至2019年4月,全球55個(gè)國(guó)家已經(jīng)建立了113個(gè)LoRaWAN網(wǎng)絡(luò),而NB-IoT網(wǎng)絡(luò)約為90個(gè)。
在天然氣、水設(shè)施以及智能電表等公用事業(yè),LoRaWAN的市場(chǎng)表現(xiàn)最為突出。根據(jù)ABI的調(diào)研,中國(guó)是智能表計(jì)項(xiàng)目中LoRaWAN的早期采用者,約占全球2018年出貨芯片的65%。
Tower半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)的專業(yè)技術(shù)組合、地域覆蓋范圍、深厚的客戶關(guān)系及服務(wù)至上的經(jīng)營(yíng)理念,將有助于擴(kuò)大英特爾的代工服務(wù),并推進(jìn)英特爾成為全球主要代工產(chǎn)能供應(yīng)商的目標(biāo)。
這項(xiàng)交易能讓英特爾提供極其廣泛的先進(jìn)節(jié)點(diǎn),并在成熟節(jié)點(diǎn)上提供差異化專業(yè)技術(shù)。在半導(dǎo)體需求空前高漲的時(shí)代,為現(xiàn)有和未來(lái)的客戶開(kāi)啟全新機(jī)遇。
作為IDM 2.0戰(zhàn)略的重要一環(huán),英特爾于2021年3月成立了英特爾代工服務(wù)事業(yè)部(IFS),基于美國(guó)和歐洲,面向全球客戶提供服務(wù),以幫助滿足全球?qū)Π雽?dǎo)體制造產(chǎn)能日益增長(zhǎng)的需求。
英特爾代工服務(wù)(IFS)目前提供領(lǐng)先的制程工藝和封裝技術(shù),在美國(guó)、歐洲及日后的世界其它地區(qū)的承諾產(chǎn)能,和廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)組合。
子單元存放時(shí)間較長(zhǎng)的IGBT 器件子單元總洞空率范圍0.23%-9.41%,最大空洞率范圍0.04%- 4.9%;子單元存放時(shí)間較短的IGBT器件總空洞率范圍0-1.67%,最大空洞率范圍0-0.33%,由此可見(jiàn),子單元存放時(shí)間越短,空洞率范圍更小。
子單元存放時(shí)間長(zhǎng)短會(huì)影響IGBT 焊接空洞率,存放時(shí)間越短顯著降低了較大空洞的比例,使得空洞率的分布更加均勻, 從而增加IGBT 器件可靠性。
目前針對(duì)來(lái)料存放時(shí)長(zhǎng)的研究較少,本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),采用短期存放子單元封裝的器件使子單元總空洞率由0.23% ~ 9.41% 減少到0 ~ 1.67%,提供了一種新的降低空洞率的方法和思路。
熱門點(diǎn)擊
- CSS調(diào)制遠(yuǎn)程低功率通信IGBT器件總空洞率
- Touch-Key觸摸按鍵及語(yǔ)音播放節(jié)省功耗
- PNP型鍺材料的高頻小功率三極管功用使氣流速
- HDMI連接線傳輸高品質(zhì)的S/PDIF信號(hào)音
- 板載100MS/s示波器配備新款附加板卡拓展
- 高功率密度貼片HPDC電阻器提供高功率密度解
- 整合GPS或藍(lán)牙低功耗的競(jìng)爭(zhēng)性模塊芯片組面積
- LE Audio應(yīng)用以改善用戶體驗(yàn)和功耗特性
- 單幀超解像IP核的工作頻率由以108MHz提
- 源極底置封裝使RDS(on)降低30%電磁抗
推薦技術(shù)資料
- STGWA30IH160DF2
- 最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6
- EMI CISPR25 CLA
- Android 和Linux
- 汽車混合信號(hào)微控制器̴
- 4A,6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究