單晶硅錠橫向切割成圓形的單個硅片，就得到了單晶硅片，這也就是我們常說的用來制造芯片的晶圓(Wafer)。單晶硅在電學性質(zhì)和力學性質(zhì)等方面的表現(xiàn)都要比多晶硅更好一些，所以半導體制造都是以單晶硅為基本材料。

BLDC電機通過三相線驅(qū)動，產(chǎn)生磁場，磁場再推動永久磁鐵，使定子移動并轉(zhuǎn)動電機。

理論上,這聽起來很容易,但實際上,驅(qū)動BLDC電機相當復雜，開發(fā)人員只能選擇使用軟件框架來驅(qū)動電機,或者選擇專用芯片解決方案。

Dsub-9連接器

直觀的LED用戶界面

20000 msg/s, 時間戳精度為100微秒

兼容Windows和Linux (包括 SocketCAN)

兼容 J1939, CANopen, NMEA 2000®和DeviceNet

完全兼容通過Kvaser CANlib為其他Kvaser CAN硬件編寫的應用程序。

Kvaser U100為終端用戶帶來極大價值，具備更寬的工作溫度范圍和CAN-FD兼容性，而且又顯著降低了成本，是堅固耐用型CAN FD的性價比之選。

eNVM的主流技術包括嵌入式閃存(eFlash)、一次可編程(OTP)NVM和多次可編程(MTP)NVM。eFlash是業(yè)界應用最廣泛的嵌入式非易失性存儲技術，其性能優(yōu)越、可靠性高、存儲單元面積小。但該技術工藝兼容性差，需要在邏輯工藝的集成上增加額外的掩模板和工藝步驟，晶圓成本高、開發(fā)周期長。

MTP eNVM則兼具eFlash的靈活性、 高性能和OTP的工藝高兼容性。其重復擦寫次數(shù)可以達到104次以上， 容量也可以達到1Mibit。在現(xiàn)今的eNVM市場中，MTP存儲器的市場占有份額每年增長超過30%, 這意味著MTP技術已經(jīng)得到市場越來越來廣泛的認可，并得到了越來越多的應用。