數(shù)據(jù)保持能力是衡量eNVM性能的重要指標(biāo)，目前，對(duì)于驗(yàn)證NVM數(shù)據(jù)保持能力的方法，國(guó)內(nèi)外已經(jīng)有不少相關(guān)的研究或標(biāo)準(zhǔn)，如JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)制定的JESD22-A117C和JESD47H， 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭制定的GB/T 35003—2018,但大多數(shù)主要集中在相變存儲(chǔ)器、Flash存儲(chǔ)器等的數(shù)據(jù)保持能力，而對(duì)MTP存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力卻鮮有研究。

MTP存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力不僅要求在高溫條件下能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失，而且要能夠保持很長(zhǎng)的時(shí)間，因而不僅要研究MTP存儲(chǔ)器的可靠性，還要能夠計(jì)算出MTP存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持時(shí)間，這對(duì)合理拓寬MTP存儲(chǔ)器溫度應(yīng)用范圍及使用壽命有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

光刻膠(Photo Resist)均勻鋪在晶圓表面，在這個(gè)過(guò)程中需要保持晶圓旋轉(zhuǎn)，這樣可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。然后光刻膠層透過(guò)掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下，變得可溶。

掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，紫外線透過(guò)它照在光刻膠層上，就會(huì)形成電路的每一層圖案。一般來(lái)說(shuō)，在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。

溶解光刻膠,曝光在紫外線下的光刻膠被化學(xué)試劑溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致。

使用QBL4208-41-04-025，這款電機(jī)也是來(lái)自TRINAMIC Motion Control,這是一款24 V、4000 RPM BLDC電機(jī)，可提供略高于 0.25 Nm的扭矩。TRINAMIC Motion Control的QBL4208-41-04-025是一款24V、4000 RPM BLDC電機(jī)，最高速度下可提供略高于0.25 Nm的扭矩。