外部DRAM和NOR模塊將通道數(shù)分別提高至6個或2個
發(fā)布時間:2022/3/2 8:55:38 訪問次數(shù):118
40/42-203系列使用了設計用于高頻應用的高品質(zhì)舌簧繼電器,40/42-204系列使用的則是高品質(zhì)的電磁繼電器,兩種繼電器均可提供很長的使用壽命。
對于小規(guī)模的測試應用,兩個系列均提供部分填充的靈活選擇,40/42-203可提供3個通道的版本,40/42-204可提供1個通道的版本。如果測試要求提高,無需增大空間,只需要在同樣的機箱的單個槽位中換上完全填充的模塊就可以將通道數(shù)分別提高至6個或2個。
這兩個系列都使用MMCX連接器接口,雖然不是差分連接器,但可以在小面板面積內(nèi)實現(xiàn)高通道數(shù)。
Littelfuse Xtreme壓敏電阻,Xtreme壓敏電阻系列具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢:
圓盤尺寸小(從 5mm到20mm不等),可減少組件足跡和 電路保護需要的印刷電路板空間。
適合工作溫度高達125°C的產(chǎn)品。
高浪涌能量和電流吸收承受能力,可提升產(chǎn)品可靠性,延長使用壽命。
符合UL-94,易燃性等級V-0,確保10秒內(nèi)燃燒停止。
使用memBrain技術(shù)創(chuàng)建基于存算一體神經(jīng)處理器的單芯片解決方案的價值,消除了傳統(tǒng)處理器使用數(shù)字DSP和基于SRAM/DRAM的方法來存儲和執(zhí)行機器學習模型存在的問題。
Microchip的memBrain神經(jīng)形態(tài)存儲器產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可為神經(jīng)網(wǎng)絡執(zhí)行矢量矩陣乘法(VMM)。它使得用于電池供電和深度嵌入式邊緣設備的處理器能夠提供盡可能高的單位瓦特人工智能推理性能。
這是通過將神經(jīng)模型的權(quán)重作為數(shù)值存儲在內(nèi)存陣列中和將內(nèi)存陣列作為神經(jīng)計算元素來實現(xiàn)的,功耗比其他方法低10至20倍,同時由于不需要外部DRAM和NOR,處理器整體材料清單(BOM)成本也較低。
40/42-203系列使用了設計用于高頻應用的高品質(zhì)舌簧繼電器,40/42-204系列使用的則是高品質(zhì)的電磁繼電器,兩種繼電器均可提供很長的使用壽命。
對于小規(guī)模的測試應用,兩個系列均提供部分填充的靈活選擇,40/42-203可提供3個通道的版本,40/42-204可提供1個通道的版本。如果測試要求提高,無需增大空間,只需要在同樣的機箱的單個槽位中換上完全填充的模塊就可以將通道數(shù)分別提高至6個或2個。
這兩個系列都使用MMCX連接器接口,雖然不是差分連接器,但可以在小面板面積內(nèi)實現(xiàn)高通道數(shù)。
Littelfuse Xtreme壓敏電阻,Xtreme壓敏電阻系列具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢:
圓盤尺寸小(從 5mm到20mm不等),可減少組件足跡和 電路保護需要的印刷電路板空間。
適合工作溫度高達125°C的產(chǎn)品。
高浪涌能量和電流吸收承受能力,可提升產(chǎn)品可靠性,延長使用壽命。
符合UL-94,易燃性等級V-0,確保10秒內(nèi)燃燒停止。
使用memBrain技術(shù)創(chuàng)建基于存算一體神經(jīng)處理器的單芯片解決方案的價值,消除了傳統(tǒng)處理器使用數(shù)字DSP和基于SRAM/DRAM的方法來存儲和執(zhí)行機器學習模型存在的問題。
Microchip的memBrain神經(jīng)形態(tài)存儲器產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可為神經(jīng)網(wǎng)絡執(zhí)行矢量矩陣乘法(VMM)。它使得用于電池供電和深度嵌入式邊緣設備的處理器能夠提供盡可能高的單位瓦特人工智能推理性能。
這是通過將神經(jīng)模型的權(quán)重作為數(shù)值存儲在內(nèi)存陣列中和將內(nèi)存陣列作為神經(jīng)計算元素來實現(xiàn)的,功耗比其他方法低10至20倍,同時由于不需要外部DRAM和NOR,處理器整體材料清單(BOM)成本也較低。
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