高功率及高頻率特性的寬帶隙（Wide Band Gap，WBG）半導(dǎo)體，包含碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），主要應(yīng)用多為電動汽車、快充市場。

在各大襯底供應(yīng)商的開發(fā)下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等廠商陸續(xù)擴增產(chǎn)能，并將在2022年下半年量產(chǎn)8英寸襯底,預(yù)計第三代功率半導(dǎo)體未來幾年產(chǎn)值仍有增長空間。

據(jù)集邦咨詢研究測算，第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，成長至2025年的47.1億美元，年復(fù)合增長率達48%。

保險絲外形尺寸為0603，額定電壓達63V，分斷能力為50A，工作溫度范圍-55 °C至+125 °C。

保險絲符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準，無鹵素，適合自動SMD組裝系統(tǒng)加工，以及波峰焊、回流焊或氣相自動焊接。

這些功能使多層掃描儀能夠滿足廣泛應(yīng)用中最重要的需求。

NCP51705主要用來驅(qū)動SiC MOSFET晶體管,為了獲得最低可能導(dǎo)通損耗,驅(qū)動器能向SiC MOSFET器件提供最大可用柵極電壓.

NCP1680是臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正(CRM)PFC控制器,設(shè)計用于無橋圖騰柱拓撲. 無橋圖騰柱PFC是功率因素架構(gòu),包括在PWM開關(guān)頻率驅(qū)動的快速開關(guān)腿和工作在AC線路頻率的第二個腿.這種拓撲不需要在通常PFC電路輸入所存在的二極管橋,允許功率級效率有明顯的改進.

器件能阻止通過LIN回饋電流到電源輸入端.器件還包括欠壓檢測,溫度關(guān)斷保護和接地丟失保護.器件的工作電壓為4V到48V.典型無功電流均衡線路原理至均衡控制線路,將上述線路中的無功電流均衡環(huán)重畫于電流互感器CT1、CT2的變比.