兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，旨在增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性，并緩解元器件采購(gòu)所面臨的挑戰(zhàn)。

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可分為三個(gè)階段，即硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），以及近幾年剛剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。

雖然SiC材料價(jià)格成本偏高，但其對(duì)提高效率和續(xù)航里程，以及對(duì)增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性等方面，均有著明顯的優(yōu)勢(shì)。因此從這個(gè)角度來看，采用碳化硅MOSFET還是比較劃算的。

除此之外，我們把母線電壓提高到1000V以上之后，也可以加快電動(dòng)汽車的充電速度。

變壓器B1原、副邊的電壓波形,變壓器B1原邊跨接在電網(wǎng)與待并聯(lián)發(fā)電機(jī)之間,所以變壓器原邊的電壓是兩電壓瞬時(shí)值的差值△況,下面先討論△仍的波形。

設(shè)待并聯(lián)發(fā)電機(jī)的電壓為“g,頻率為尼;已投人電網(wǎng)的發(fā)電機(jī)電壓為uc,頻率為正,并設(shè)它們的初相角均為零,則其電壓瞬時(shí)值為:

zg= Jg-sinωgt

uc=L△sinωct

至于M1 Max的跑分，這種時(shí)候用別人的成績(jī)多沒意思，小編果斷地掏出了自己的小本本跑了一波�？梢钥闯觯瑑烧叩膯魏诵阅芑境制�，M1 Ultra的多核性能雖然不到2倍，不過也差得不多。

擴(kuò)展性能最常見的方法是通過主板連接兩個(gè)芯片，這通常會(huì)帶來明顯的短處，包括延遲增加、帶寬減少和能耗上跳,對(duì)于這個(gè)5納米時(shí)代的全新封裝架構(gòu)，蘋果命名為UltraFusion。