PowerGaN 路線圖中輸入電壓從650V開始的G-FET、G-DRIVE和G-HEMT產(chǎn)品，在現(xiàn)有的G-HEMT產(chǎn)品中增加100V產(chǎn)品。氮化鎵產(chǎn)品組合也會進一步擴大，增加導(dǎo)通電阻不同的晶體管產(chǎn)品，此外還會繼續(xù)推廣MasterGaN系統(tǒng)級封裝。

像碳化硅產(chǎn)品一樣，氮化鎵產(chǎn)品也提供廣泛的封裝形態(tài)，例如QFN等分立封裝、可以集成電池的新封裝ST LISI等。此外ST也將繼續(xù)研究嵌入式裸片封裝技術(shù)，以便進一步提高封裝的集成度。

PowerGaN和MasterGaN兩個產(chǎn)品組合，PowerGaN主要是分立GaN晶體管，而MasterGaN則是驅(qū)動和晶體管組成的系統(tǒng)級封裝。除了以上兩個電源方面的產(chǎn)品組合外，ST同樣也在規(guī)劃針對移動基站的GaN PA。

ATM33還搭載了受控能量收集技術(shù)，包括不同的能量來源，比如光能、射頻、熱能，以及機械能等。

除此之外，這款產(chǎn)品在系統(tǒng)層面也做了大幅的優(yōu)化和升級，包括無需MCU感知功能的升級，以及射頻信號按需喚醒。

即使在深度睡眠狀態(tài)下，ATM33也能執(zhí)行傳感器運作支援功能，比如訪問內(nèi)存和傳輸信標等。

任何人都可以對這些特殊數(shù)據(jù)包進行預(yù)編程，并且可以從任何形式的任何筆記本電腦、接入點或平板電腦發(fā)送。

旁路運行軟啟動器雖然可以降低晶間管的功耗,減少電源諧波污染,但是需要外接旁路接觸器,控制電路復(fù)雜,成套設(shè)各體積也隨之擴大,維護成本和難度增加,且啟動后,無法對電動機繼續(xù)保護。

內(nèi)置旁路型軟啟動器將外部的接觸器移到了軟啟動器外部集成為一體并能保證體積不增加,對外部接線來講是一個裝置,大大減少了設(shè)備的體積,控制電路簡化,并在運行過程中也能對電動機進行保護。