片上集成LCD驅(qū)動(dòng)可調(diào)整的電池電壓精度在+-0.6%
發(fā)布時(shí)間:2022/5/31 12:03:31 訪問(wèn)次數(shù):152
基于ARM cortex M0內(nèi)核的FM33LE0系列MCU產(chǎn)品家族。該系列是FM33LC0系列的成本友好版本,在保證硬件兼容FM33LC0系列的基礎(chǔ)上,片上存儲(chǔ)資源和外設(shè)資源進(jìn)行了更加精準(zhǔn)的規(guī)劃,并且優(yōu)化部分功能,使其與客戶端的需求契合度更高,從而為客戶端的產(chǎn)品研發(fā)提供了更多的可能性。
該系列MCU是基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片,最高主頻為64MHz,提供最大128KB FLASH程序存儲(chǔ)空間,搭配16KB RAM;片上集成LCD驅(qū)動(dòng)、帶溫補(bǔ)的RTC、SAR-ADC、AES加密,以及豐富的通用外設(shè)接口;支持多種封裝形式,包括:LQFP64/LQFP48/QFN32/TSSOP24.
電池充電IC主要為筆記本電腦,快速充電器以及諸如PDA這樣的手提設(shè)備而設(shè)計(jì)。ADP3806三種產(chǎn)品的可調(diào)整的電池電壓精度在+-0.6%。
ADP3806-12.6為12.6或or16.8 V,ADP3806-12.5為12.525或16.7V?烧{(diào)整的IC產(chǎn)品是用來(lái)充一/兩個(gè)單元的鋰離子電池的。當(dāng)電池達(dá)到最終電壓,ADP3806會(huì)從恒流模式轉(zhuǎn)到恒壓模式。
縫內(nèi)密封是指在構(gòu)件的貼合面間用密封材料填滿所有縫隙,實(shí)現(xiàn)密封,根據(jù)不同情況,可采用不同的密封材料?p外密封是指在有油壓一側(cè)沿零構(gòu)仵貼合面的邊緣、緊固件的四周和結(jié)構(gòu)間隙等覆蓋密封膠,實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的密封。
干涉配合鉚接指鉚接后鉚釘彎矩,在采用鉚釘連接密封的部位,通常采用干涉配合鉚接。
基于ARM cortex M0內(nèi)核的FM33LE0系列MCU產(chǎn)品家族。該系列是FM33LC0系列的成本友好版本,在保證硬件兼容FM33LC0系列的基礎(chǔ)上,片上存儲(chǔ)資源和外設(shè)資源進(jìn)行了更加精準(zhǔn)的規(guī)劃,并且優(yōu)化部分功能,使其與客戶端的需求契合度更高,從而為客戶端的產(chǎn)品研發(fā)提供了更多的可能性。
該系列MCU是基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片,最高主頻為64MHz,提供最大128KB FLASH程序存儲(chǔ)空間,搭配16KB RAM;片上集成LCD驅(qū)動(dòng)、帶溫補(bǔ)的RTC、SAR-ADC、AES加密,以及豐富的通用外設(shè)接口;支持多種封裝形式,包括:LQFP64/LQFP48/QFN32/TSSOP24.
電池充電IC主要為筆記本電腦,快速充電器以及諸如PDA這樣的手提設(shè)備而設(shè)計(jì)。ADP3806三種產(chǎn)品的可調(diào)整的電池電壓精度在+-0.6%。
ADP3806-12.6為12.6或or16.8 V,ADP3806-12.5為12.525或16.7V?烧{(diào)整的IC產(chǎn)品是用來(lái)充一/兩個(gè)單元的鋰離子電池的。當(dāng)電池達(dá)到最終電壓,ADP3806會(huì)從恒流模式轉(zhuǎn)到恒壓模式。
縫內(nèi)密封是指在構(gòu)件的貼合面間用密封材料填滿所有縫隙,實(shí)現(xiàn)密封,根據(jù)不同情況,可采用不同的密封材料?p外密封是指在有油壓一側(cè)沿零構(gòu)仵貼合面的邊緣、緊固件的四周和結(jié)構(gòu)間隙等覆蓋密封膠,實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的密封。
干涉配合鉚接指鉚接后鉚釘彎矩,在采用鉚釘連接密封的部位,通常采用干涉配合鉚接。
熱門點(diǎn)擊
- Genio系列AIoT芯片運(yùn)動(dòng)控制器很強(qiáng)的運(yùn)
- 諧振電感Lr和諧振電容Cr共同形成 一個(gè)諧振
- 非互補(bǔ)模式有源鉗位ClampZero有源鉗位
- 隔離式比較器實(shí)現(xiàn)隔離式雙向過(guò)流尺寸縮小了50
- 退釘/孔連接器連接范圍比前代WLAN解決方案
- 電流叢聚效應(yīng)使得LED晶片達(dá)不到設(shè)計(jì)所需的亮
- AMC23C12的跳變閾值精度LED的內(nèi)部量
- 85微米或引入線最大厚度使RFID集成電路芯
- 積分頻率范圍上限應(yīng)采樣頻率2倍與放大器電壓噪
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推薦技術(shù)資料
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