浪涌抑制器是一種集成電路裝置,用于控制電源線路中的N通道功率MOSFET,后者置于DC電源（例如12V、24V或48V)和需要抵御輸入電壓和負載電流浪涌的系統(tǒng)電子器件之間。

內部功率MOSFET浪涌抑制器,它可以采用高達72V的供電電壓,但僅消耗6μA靜態(tài)電流。

內部功率MOSFET提供100V漏源擊穿電壓(BVDSS)和9mΩ導通電阻(RDS(ON))，可以支持高達100V的輸入浪涌和10A應用。

LTC4381提供四個選項，可以選擇故障重啟行為和固定或可調的輸出鉗位電壓。

彎塊式剎車盤剎車時,高壓油液推動作動筒內的帶桿活塞,使彎塊壓住剎車套,利用彎塊與剎車套之間的摩擦力,形成剎車力矩,解除剎車時,壓力消失,彈簧將彎塊拉回到原來位置。

從彎塊式剎車盤的工作過程中可以看出,如果機輪旋轉方向與彎塊張開方向一致,作用在彎塊上的摩擦力,是幫助彎塊張開的,它使彎塊與剎車套壓得更緊,困而能加大剎車力矩(此作用稱為助動作用).

反之,如果機輪旋轉方向與彎塊張開方向相反,摩擦力就要阻礙彎塊張開,使剎車力矩減小。安裝彎塊式剎車盤時,必須注意它的張開方向,不要裝錯。

2兆位的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。

MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)、記錄設備操作條件并安全保存信息的高端設備的理想選擇。

在如應用于儀表等設備的過程中，F(xiàn)RAM寫機制確保即使在臨時中斷電源時，也可將數(shù)據(jù)高速寫入FRAM，因此不致丟失有用數(shù)據(jù)。