Tarari®T1000 系列單芯片內(nèi)容檢測(cè)處理器。T1000系列產(chǎn)品不僅可支持完全無(wú)需 RAM 的操作模式，還可支持單存儲(chǔ)器芯片操作模式，其吞吐量可擴(kuò)展至2Gb/s，從而使設(shè)備制造商能夠利用單個(gè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)方案，滿足多種不同性能水平的需求。

此外，T1000系列產(chǎn)品對(duì)板級(jí)空間的占用僅為前代產(chǎn)品的十分之一。

T1000系列產(chǎn)品是首款無(wú)需借助任何外部存儲(chǔ)器即能以250-500Mb/s數(shù)據(jù)速度完全獨(dú)立工作的正則表達(dá)式(reg-ex)處理器。如果配置為無(wú)RAM模式操作，那么T1000處理器可以共享主機(jī)CPU的系統(tǒng)存儲(chǔ)器，從而進(jìn)一步降低成本，減少功耗，且板級(jí)空間僅為前代產(chǎn)品的十分之一。用戶只需添加低成本的存儲(chǔ)器單芯片，就能支持吞吐量為1Gb/s～2Gb/s的高性能應(yīng)用。而目前同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)解決方案則需要采用多種昂貴的外部存儲(chǔ)器，才能實(shí)現(xiàn)數(shù)Gb的吞吐量。

對(duì)于普通的雙極性三極管，它是電流控制器件。它的基極串聯(lián)電阻R1是為了了限制基極電流的大小，否則對(duì)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)源來(lái)說(shuō)，三極管的基極對(duì)地之間就等效成一個(gè)二極管，會(huì)對(duì)前面驅(qū)動(dòng)電路造成影響。

如果對(duì)于MOS管，由于它的柵極相對(duì)于漏極和源極是絕緣的，所以柵極上無(wú)需串聯(lián)電阻進(jìn)行限流。

MOS管電路可以看到紅色圓圈中表示出它們的柵極都有串聯(lián)的電阻。

這都使得傳感器接口數(shù)量和帶寬都高速增長(zhǎng)，涉及到MIPI DPHY/CPHY/SERDES/車(chē)載以太網(wǎng)等等高速互聯(lián)接口；以及內(nèi)部計(jì)算接口總線、存儲(chǔ)總線、芯片互聯(lián)總線諸如PCIe Gen3/4、LPDDR4/5、XFI等等。這都為硬件工程師帶來(lái)不斷提升的高速信號(hào)完整性及電源完整性設(shè)計(jì)與測(cè)試的挑戰(zhàn)。

智能座艙域及自 動(dòng)駕駛域內(nèi)部涉及到的各類(lèi)高速總線信號(hào)完整性及電源完整性測(cè)試進(jìn)行分析和總結(jié)，幫助汽車(chē)行業(yè)工程師們能夠應(yīng)對(duì)日益提升的汽車(chē)硬件設(shè)計(jì)域測(cè)試要求。