Au1100處理器高度集成了片上SDRAM、SRAM/flash EEPROM內(nèi)存控制器、LCD控制器、10/100以太網(wǎng)控制器、USB主控與設(shè)備，UARTs，以及高達(dá)48個通用輸入輸出口(GPIO)(其中13個是專用的)。

集成的外設(shè)具有高性能、和MIPS兼容的內(nèi)核，將能夠提供更低的系統(tǒng)成本、更小的尺寸、更低的功耗、更簡單的多項功能設(shè)計、以及更短的設(shè)計周期。

功率管理IC系列能提供低功率和低噪音，從而延長下一代手提，通信設(shè)備和計算機(jī)系統(tǒng)中電池壽命。

五種線性功率器件分成兩大系列。對于需要最大限度電池壽命的，先進(jìn)模擬技術(shù)公司低壓降(LDO)線性調(diào)整器，其靜態(tài)電流為1.1-uA，保證150mA輸出電流時其壓降為200mV。毫微瓦功率(NanoPower)LDO品種有AAT3221, AAT3222和AAT3220三種。

關(guān)于電容器的漏電電阻:

由于電容兩極之間的介質(zhì)不是絕對的絕緣體,電阻不是無限大,而是一個有限的數(shù)值,一般很精確,如584kΩ、652kΩ。電容兩極之間的電阻叫做絕緣電阻,也叫漏電電阻,大小是額定工作電壓下的直流電壓與通過電容的漏電電流的比值。

涓電電阻越小,漏電越嚴(yán)重。電容涓電會引起能量損耗,這種損耗不僅影響電容的壽命,而且會影響電路的工作。因此,電容器的漏電電阻越大越好。

可變電容器是指電容量在一定范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)的電容器。一般由相互絕緣的兩組極片組成。其中,固定不動的一組極片稱為定片,可動的一組極片稱為動片。通過改變極片間的相對有效面積或片間距離使電容量相應(yīng)地變化�？勺冸娙萜髦饕迷跓o線電接收電路中選擇信號(調(diào)諧)。

同步的補(bǔ)償 DC/DC轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計者能夠更快地進(jìn)行點負(fù)載應(yīng)用電源的開發(fā)。

這種轉(zhuǎn)換器內(nèi)設(shè)峰值可達(dá)12A 的 MOSFET，在工作溫度范圍內(nèi)和3.0到3.6V輸入下，能夠提供大于9A的連續(xù)輸出電流。

這種轉(zhuǎn)換器具有一個集成的同步整流器和一個導(dǎo)通電阻15m歐姆 的功率MOSFET，使轉(zhuǎn)換器效率能夠達(dá)到95%以上。

為了解決開關(guān)噪聲敏感問題，開關(guān)頻率是兩個預(yù)設(shè)值中的一個，或者調(diào)整到280～700Hz之間的任意值。除了TPS4910，其它SWIFT系列的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其固定或可調(diào)輸出電壓的總精度可達(dá)2%。