單片1G位AND閃存，其寫入速度達(dá)到每秒10M字節(jié)。

根據(jù)其專有的輔助柵AND型(AG-AND)多層單元的閃存技術(shù)，HN29V1G91存儲(chǔ)器芯片能在大約13秒內(nèi)記錄128M字節(jié)的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于兩小時(shí)CD質(zhì)量的MP3音樂。它也適用于高檔數(shù)碼相機(jī)，以產(chǎn)生高分辨率的圖像大文件和提供活動(dòng)圖像。

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法，以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。

閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程，以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率，進(jìn)行低電流快速并行寫入。

主電路的各支路的編號(hào),需在水平畫圖時(shí)由左到右或者垂直畫圖時(shí)由上到下,每當(dāng)經(jīng)過一個(gè)電器元件的接線端子后,編號(hào)需要依次增加。例如U21、Ⅴ21、W21,〔J31、Ⅴ31、W31……等順序標(biāo)號(hào)。

按照相序依次編號(hào)將單臺(tái)三相異步電動(dòng)機(jī)的三根引出線編為U、V、W,關(guān)于多臺(tái)電動(dòng)機(jī)引出線進(jìn)行編號(hào),為防范混雜,能于字母前加數(shù)字進(jìn)行區(qū)分,如1U、1Ⅴ、1W,2U、2Ⅴ、2W等。

成本效率的低功耗SONET OC-192收發(fā)器，用作短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器。

新的TI解決方案為單個(gè)器件提供四個(gè)2.5Gbps OC-48通道，使通信設(shè)備制造商能構(gòu)成10Gbps OC-192轉(zhuǎn)發(fā)器，作為OC-192串行解決方案的一部分成本。

可提供基于SLK2504和Alvesta Corporation公司3100光收發(fā)器的SONET轉(zhuǎn)發(fā)器參考設(shè)計(jì)和評(píng)估模型(EVM)。采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300引腳MSA形式，參考設(shè)計(jì)/EVM能使生產(chǎn)者很快開發(fā)出OC-192VSR轉(zhuǎn)發(fā)器�，F(xiàn)在可提供SLK2504收發(fā)器的樣品，為289引腳的BGA封裝。