在單芯片上集成兩個完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。這種架構對外形尺寸和功耗進行了優(yōu)化，使制造商能夠支持計算和嵌入式系統(tǒng)中的無線多媒體應用，同時滿足消費者在微型化、電池壽命和低成本方面越來越嚴苛的要求。

兩個2.4GHz完全匹配功放的RF前端解決方案。它還在3mmx3mm的微型封裝中整合了諧波濾波器、輸入輸出匹配電路，并為每一個發(fā)射鏈路配備了一個功率檢測器。此外，相比MIMO解決方案的兩個不匹配PA，這種高集成度還能夠降低80%的外部材料清單，節(jié)省約0.25美元的材料清單成本。

入門級計算市場包括針對企業(yè)和學生的臺式電腦替代產品，是規(guī)模最大、增長速度最快的計算市場領域。通過SE2566U，我們提供了一種無與倫比的解決方案，不但具有最高的功能集成度，同時滿足這一領域對小尺寸、更長電池壽命及價格競爭力的需求。

當電源電壓較低時,雙向蝕發(fā)二極臂里高阻狀戀麗截止,萬用表指針指示OmA。

當電源袖出電壓為80V時,雙向觸發(fā)二極督被擊穿,萬用表的指針突然擺動,此時即為擊穿電壓(轉折電壓),將該結果與技術規(guī)格中的值對照。者對照結果符合技術要求,列說明雙向觸發(fā)二極臀正常。

將雙向觸發(fā)二極管接入電路中,通過檢測電路的電壓值可判斷雙向觸發(fā)二極管有無開路清況,雙向觸發(fā)二極管開路狀態(tài)的檢測判別方法.

二極管的引腳極性可以根據二極管上的標識信息識別,對于一些沒有明顯標識信息的二極管,可以使用萬用表的歐姆擋進行簡單的檢測判別.

當便攜式電子設備變得越來越小時，元件的大小變得至關重要。憑借超小的占位面積，Vishay的SiB800EDK比采用2mm×2mm封裝的器件小36%，同時具有0.75mm的超薄厚度。Vishay此番將兩個元件整合到一個封裝中不僅節(jié)省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應用中的壓降。

SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 時）～0.225Ω（4.5V VGS 時）的低導通電阻范圍。1.5V時的低導通電阻額定值可使MOSFET與低電平時的信號一同使用。