16GB RDIMM雙列直插模塊50納米級(jí)工藝制造高密度DDR3
發(fā)布時(shí)間:2022/7/4 8:15:48 訪問(wèn)次數(shù):362
4Gb DDR3可制成用于服務(wù)器的16GB RDIMM雙列直插模塊,以及用于工作站和臺(tái)式機(jī)的8GB UDIMM,用于筆記本電腦的8GB小型DIMM。通過(guò)采用雙晶片封裝技術(shù),這中新器件可提供高達(dá)32GB的容量的存儲(chǔ)器模塊——比基于以前最高芯片密度(2Gb)存儲(chǔ)器的容量高出一倍。
4Gb DDR3 DRAM設(shè)計(jì)為低功耗,工作電壓為1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度為1.6GB/秒。
16GB模塊配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模塊的低40%,這是因?yàn)槠渚哂懈叩拿芏龋覂H使用了一半數(shù)量的DRAM芯片(32與64之比)。
由于轉(zhuǎn)為采用50納米級(jí)工藝制造高密度DDR3,三星力求維護(hù)其在高容量/高效能DRAN產(chǎn)品上領(lǐng)導(dǎo)地位。
系統(tǒng)簡(jiǎn)圖手冊(cè)(System Schematic Manual,SSM)是波音手冊(cè),手冊(cè)展示了飛機(jī)機(jī)載系統(tǒng)的配置、功能、電子、電氣部件工作原理、機(jī)械部件工作原理、組件位置,可用于飛機(jī)的排故及日常維護(hù)人員的培訓(xùn)。
飛機(jī)簡(jiǎn)圖手冊(cè)(Aircraft Schematic Mamual,ASM)是空客手冊(cè),手冊(cè)以系統(tǒng)方塊圖、系統(tǒng)簡(jiǎn)圖、系統(tǒng)簡(jiǎn)化簡(jiǎn)圖的形式展示了電子、電氣部件的工作原理、系統(tǒng)配置、功能、電路操作、邏輯關(guān)系,可用于飛機(jī)電子、電氣系統(tǒng)的排故及日常維護(hù)人員的培訓(xùn)。
執(zhí)行高空作業(yè)時(shí)若發(fā)現(xiàn)意外,馬上停止一切作業(yè),立即上報(bào)。
發(fā)動(dòng)機(jī)安全區(qū)域,發(fā)動(dòng)機(jī)在地面試車和啟動(dòng)時(shí)的危險(xiǎn)區(qū)域有:進(jìn)氣道危險(xiǎn)區(qū)、排氣危險(xiǎn)區(qū)和噪聲危險(xiǎn)區(qū)。
進(jìn)氣道危險(xiǎn)區(qū)會(huì)將人或地面污染物吸人發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi);排氣具有高速、高溫和氣體污染的特點(diǎn),此危險(xiǎn)區(qū)會(huì)對(duì)人和設(shè)備造成危害;噪聲危險(xiǎn)區(qū)內(nèi)長(zhǎng)時(shí)間停留會(huì)對(duì)人的聽力造成損害,所以應(yīng)帶上護(hù)耳裝備。
4Gb DDR3可制成用于服務(wù)器的16GB RDIMM雙列直插模塊,以及用于工作站和臺(tái)式機(jī)的8GB UDIMM,用于筆記本電腦的8GB小型DIMM。通過(guò)采用雙晶片封裝技術(shù),這中新器件可提供高達(dá)32GB的容量的存儲(chǔ)器模塊——比基于以前最高芯片密度(2Gb)存儲(chǔ)器的容量高出一倍。
4Gb DDR3 DRAM設(shè)計(jì)為低功耗,工作電壓為1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度為1.6GB/秒。
16GB模塊配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模塊的低40%,這是因?yàn)槠渚哂懈叩拿芏龋覂H使用了一半數(shù)量的DRAM芯片(32與64之比)。
由于轉(zhuǎn)為采用50納米級(jí)工藝制造高密度DDR3,三星力求維護(hù)其在高容量/高效能DRAN產(chǎn)品上領(lǐng)導(dǎo)地位。
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發(fā)動(dòng)機(jī)安全區(qū)域,發(fā)動(dòng)機(jī)在地面試車和啟動(dòng)時(shí)的危險(xiǎn)區(qū)域有:進(jìn)氣道危險(xiǎn)區(qū)、排氣危險(xiǎn)區(qū)和噪聲危險(xiǎn)區(qū)。
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熱門點(diǎn)擊
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- 16GB RDIMM雙列直插模塊50納米級(jí)工
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