CMOS工藝、單芯片、同時支持2G/3G網(wǎng)絡(luò)的射頻發(fā)射器件。該芯片是已被市場廣泛驗證的射頻發(fā)射器件SMARTi UE的低成本后續(xù)產(chǎn)品。通過遵循DigRF v3.09基帶芯片通訊接口，該器件在軟件和硬件上都達到了先后兼容性。

通過減少外接低噪聲放大器（LNAs）和采用無接受濾波器的帶內(nèi)射頻前端等技術(shù)創(chuàng)新，SMARTi UEmicro成為廣大超低端3G手機的首選射頻器件。SMARTi UEmicro以其無比優(yōu)異的射頻性能，在支持雙波段或四波段GSM/EDGE和最多三個WCDMA波段時，達到了系統(tǒng)成本最優(yōu)化。

日產(chǎn)三極管型號標識的識別,美產(chǎn)三極管型號標識的識別,為美產(chǎn)三極管型號的識別。

三極管有三個電極,分別是基極b、集電極c和發(fā)射極c。二極管的引腳排列位置根據(jù)品種、型號及功能的不同而不同,識別三極管的引腳極性在測試、安裝、調(diào)試等各個應(yīng)用場合都十分重要。

在LTE射頻領(lǐng)域持續(xù)保持著技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位。同時，致力于通過不斷減少外圍元器件數(shù)量和系統(tǒng)成本的降低，以充分滿足廣大人民群眾對超低端3G手機的需求。而這次推出的SMARTiUEmicro正是順應(yīng)這一方向開發(fā)出的產(chǎn)品，必將為新興市場全面鋪開3G商用化網(wǎng)絡(luò)提供強有力的支持。

s-1(s-1A、s-1B)型都有半圓形底面,識別時,將引腳朝下,切口面朝自己,此時三極管的引腳從左向右依次為e、b、c。

s-2型為頂面有切角的塊狀外形,識別時,將引腳朝下,切角朝向自己,此時三極管的引腳從左向右依次為e、b、c。

s一4型引腳識別較特殊,識別時,將引腳朝上,圓面朝向自己,此時三極管的引腳從左向右依次為e、b、c。

s-5型三極管的中間有一個三角形孔,識別時,將引腳朝下,印有型號的一面朝自己,此時從左向右依次為b、c、e。

s-6A型、s-6B型、s-7型、s-8型一般都有散熱面,識別時,將引腳朝下,印有型號的一面朝自已,此時從左向右依次為b、c、e。