ROHM計劃通過搭載 Nano Energy™技術且支持高電壓的復位IC，擴大檢測電壓固定型和單向型*1產品的陣容，并為進一步提高車載和工業(yè)設備的安全性貢獻力量。

應用定義軟件、軟件定義芯片，帶來了全新計算模式，是架構上的創(chuàng)新。所謂軟件定義芯片，是將軟件劃分成可以在基元（即多功能的計算單元）陣列上運行的子任務，按照任務依賴關系將子任務逐塊映射到基元陣列上運算。這類基元陣列架構可以通過編程的方式改變芯片連接和芯片功能。

超低功耗霍爾開關MHA100/150/160系列，采用低功耗CMOS工藝，功耗低至2.5μA，同時該芯片具有內置的靈敏度補償，并具有優(yōu)良的溫度補償特性，使芯片能夠在-45~85℃的環(huán)境中工作且保持良好的性能和一致性。

美新霍爾開關傳感器的優(yōu)點：噪聲低，Bop/Brp磁參數(shù)一致性好，可以保障最終產品的良好一致性，精準的開關檢測  磁滯窗口可做到5高斯，在應用中可以更準確檢測磁場的變化，磁場檢測靈敏度更好，處于業(yè)界領先水平 多種封裝可選，有DFN1014/SOT23-3L/SOT553，可滿足不同產品的應用需求.

卡入式端子的新型DLC超級電容（雙電層電容）。WCAP-SISC系列有100F和350F兩種容量，是有高功率和高能量需求，例如UPS和儲能產品的完美解決方案。它們可用于智能計量儀器、網絡設備和能量收集等，額定電流高達75A。

遠高于傳統(tǒng)電容的能量密度使得雙電層超級電容WCAP-SISC成為電池的環(huán)保替代品。與鋰離子電池相比，采用活性炭技術的超級電容具有眾多優(yōu)勢，例如充電速度快、可循環(huán)充放電500,000次的極長壽命以及火災風險更低。

WCAP-SISC電容容差為10/+30%，額定電壓為2.7V，工作溫度-40°C至+65°C 。