在220V的電源上數(shù)據(jù)通信和ATE應(yīng)用內(nèi)置的安全子系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2022/10/13 13:33:05 訪問(wèn)次數(shù):89
MCU產(chǎn)品組合,該產(chǎn)品組合應(yīng)具有擴(kuò)展性、經(jīng)過(guò)優(yōu)化,并且能夠成為當(dāng)今以及未來(lái)幾十年節(jié)能工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)邊緣應(yīng)用的基礎(chǔ)。憑借我們?cè)贛CU領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)積累,這個(gè)全新的產(chǎn)品組合將滿足實(shí)時(shí)工作負(fù)載的性能和集成要求,引領(lǐng)新一輪創(chuàng)新的浪潮。
機(jī)器學(xué)習(xí)和運(yùn)行時(shí)推理將由恩智浦的eIQ®機(jī)器學(xué)習(xí)軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境提供支持。
開(kāi)發(fā)人員可利用eIQ提供的易于使用的工具來(lái)訓(xùn)練針對(duì)NPU或CPU內(nèi)核的機(jī)器學(xué)習(xí)模型,并將其部署在MCU上。根據(jù)“設(shè)計(jì)確保安全”方法構(gòu)建的MCX系列將提供具有不可變信任根和硬件加速加密的安全啟動(dòng),并且特定系列還提供內(nèi)置的EdgeLock®安全子系統(tǒng)。
解:根據(jù)P=Ur,可得r=P/u=6o/220≈0,273A
由歐姆定律得
R=u/r=22o/0,273≈806Ω
一個(gè)月消耗電能
W=Pt=I2Rr=60×10~3×3×30=0.06×90=5.4kWˉ・h
通過(guò)PMBus®或使用外部電阻器設(shè)置輸出電壓。并聯(lián)模塊之間實(shí)行回發(fā)通道通信,使多個(gè)模塊可以用單個(gè)地址表示,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)。
新型BMR473易于設(shè)計(jì)到各種電信、數(shù)據(jù)通信和ATE應(yīng)用中。該產(chǎn)品節(jié)省電路板空間,并可在Flex Power Designer軟件和我們?cè)敱M的熱模型支持下幫助加快上市時(shí)間。
ACT41000-104-REF1是一款GaN功率放大器(PA)偏置參考設(shè)計(jì),可加強(qiáng)Qorvo GaN PA的設(shè)計(jì)與測(cè)試。
GaN器件是耗盡型FET,運(yùn)行時(shí)需要施加負(fù)柵極電壓。在使用GaN PA的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進(jìn)行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負(fù)柵極電壓,以保護(hù)器件免受損壞。
來(lái)源:21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
MCU產(chǎn)品組合,該產(chǎn)品組合應(yīng)具有擴(kuò)展性、經(jīng)過(guò)優(yōu)化,并且能夠成為當(dāng)今以及未來(lái)幾十年節(jié)能工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)邊緣應(yīng)用的基礎(chǔ)。憑借我們?cè)贛CU領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)積累,這個(gè)全新的產(chǎn)品組合將滿足實(shí)時(shí)工作負(fù)載的性能和集成要求,引領(lǐng)新一輪創(chuàng)新的浪潮。
機(jī)器學(xué)習(xí)和運(yùn)行時(shí)推理將由恩智浦的eIQ®機(jī)器學(xué)習(xí)軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境提供支持。
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解:根據(jù)P=Ur,可得r=P/u=6o/220≈0,273A
由歐姆定律得
R=u/r=22o/0,273≈806Ω
一個(gè)月消耗電能
W=Pt=I2Rr=60×10~3×3×30=0.06×90=5.4kWˉ・h
通過(guò)PMBus®或使用外部電阻器設(shè)置輸出電壓。并聯(lián)模塊之間實(shí)行回發(fā)通道通信,使多個(gè)模塊可以用單個(gè)地址表示,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)。
新型BMR473易于設(shè)計(jì)到各種電信、數(shù)據(jù)通信和ATE應(yīng)用中。該產(chǎn)品節(jié)省電路板空間,并可在Flex Power Designer軟件和我們?cè)敱M的熱模型支持下幫助加快上市時(shí)間。
ACT41000-104-REF1是一款GaN功率放大器(PA)偏置參考設(shè)計(jì),可加強(qiáng)Qorvo GaN PA的設(shè)計(jì)與測(cè)試。
GaN器件是耗盡型FET,運(yùn)行時(shí)需要施加負(fù)柵極電壓。在使用GaN PA的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進(jìn)行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負(fù)柵極電壓,以保護(hù)器件免受損壞。
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