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整流器的三電平開關它們只能看到一半的總線電壓(400V)

發(fā)布時間:2022/11/14 0:26:10 訪問次數:206

手持電子產品的PCB尺寸有限,市場上的小封裝TVS元件往往無法承受高浪涌電流,因為到模具尺寸的限制。為此,產品設計工程師不得不選擇更大封裝的TVS元件以通過過大的電應力測試,這意味著他們必須在產品PCB尺寸和高ESD/浪涌魯棒性之間做出選擇。

這些可憐的工程師在產品設計過程中為如何以盡可能小的PCB面積實現高ESD/浪涌魯棒性而絞盡腦汁。

選擇TVS的首要任務是確保鉗位電壓足夠低,以便TVS發(fā)揮最佳保護作用。這消除了被保護的主芯片仍然被靜電沖擊損壞的可能性,而TVS即使沒有損壞也失去了作為ESD保護元件的功能。

在全SiC設計中,11 kW Vienna整流器使用六個E3M0060065K SiC MOSFET和六個E4D20120H二極管。二極管是1,200-V器件;MOSFET可以是650-V器件,因為維也納整流器的三電平開關,它們只能看到一半的總線電壓 (400V)。

全橋LLC在輸出端使用四個1,200-V SiC MOSFET和四個1,200-V SiC二極管。800-V總線需要75-mΩ或40-mΩ R DS(on)的1,200-V SiC MOSFET ;1,200-V的Si MOSFET在此應用中沒有競爭力,而SiC輸出二極管比相應的Si器件更受歡迎,因為它具有更低的壓降和更好的開關性能。

對于22kW OBC,可以使用三個并聯的7.4kW OBC,但同樣,基于帶有SiC MOSFET和SiC二極管的Vienna整流器的解決方案是更好的方法。

TMDS/FRL差分對始終拉高至3.3V;因此,它應該由3.3V TVS保護。HDMI 2.1最高可支持48Gbps,因此需要更低電容的TVS。

AZC199-04S最特別的設計是內部嵌入了一個反向驅動二極管。換言之,AZC199-04S節(jié)省了PCB面積、成本和一個反向驅動二極管。

以太網總是需要做更高的瞬態(tài)能量測試,如IEC61000-4-5、GR 1089等。應考慮TVS的浪涌魯棒性。

AZ5B0S-01F最大峰值脈沖電流容差為7A。此外,AZ5B0S-01F是專為高速傳輸而設計的低電容TVS。因此,它可以用于10G LAN應用。


來源:eefocus.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考

手持電子產品的PCB尺寸有限,市場上的小封裝TVS元件往往無法承受高浪涌電流,因為到模具尺寸的限制。為此,產品設計工程師不得不選擇更大封裝的TVS元件以通過過大的電應力測試,這意味著他們必須在產品PCB尺寸和高ESD/浪涌魯棒性之間做出選擇。

這些可憐的工程師在產品設計過程中為如何以盡可能小的PCB面積實現高ESD/浪涌魯棒性而絞盡腦汁。

選擇TVS的首要任務是確保鉗位電壓足夠低,以便TVS發(fā)揮最佳保護作用。這消除了被保護的主芯片仍然被靜電沖擊損壞的可能性,而TVS即使沒有損壞也失去了作為ESD保護元件的功能。

在全SiC設計中,11 kW Vienna整流器使用六個E3M0060065K SiC MOSFET和六個E4D20120H二極管。二極管是1,200-V器件;MOSFET可以是650-V器件,因為維也納整流器的三電平開關,它們只能看到一半的總線電壓 (400V)。

全橋LLC在輸出端使用四個1,200-V SiC MOSFET和四個1,200-V SiC二極管。800-V總線需要75-mΩ或40-mΩ R DS(on)的1,200-V SiC MOSFET ;1,200-V的Si MOSFET在此應用中沒有競爭力,而SiC輸出二極管比相應的Si器件更受歡迎,因為它具有更低的壓降和更好的開關性能。

對于22kW OBC,可以使用三個并聯的7.4kW OBC,但同樣,基于帶有SiC MOSFET和SiC二極管的Vienna整流器的解決方案是更好的方法。

TMDS/FRL差分對始終拉高至3.3V;因此,它應該由3.3V TVS保護。HDMI 2.1最高可支持48Gbps,因此需要更低電容的TVS。

AZC199-04S最特別的設計是內部嵌入了一個反向驅動二極管。換言之,AZC199-04S節(jié)省了PCB面積、成本和一個反向驅動二極管。

以太網總是需要做更高的瞬態(tài)能量測試,如IEC61000-4-5、GR 1089等。應考慮TVS的浪涌魯棒性。

AZ5B0S-01F最大峰值脈沖電流容差為7A。此外,AZ5B0S-01F是專為高速傳輸而設計的低電容TVS。因此,它可以用于10G LAN應用。


來源:eefocus.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考

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