場效應晶體管(Ficld-Effect T1・ansistor,簡稱FET)也是一種具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的半導體器件,它與普通晶體三極管的不同之處在于它是電壓控制器件,而晶體管是電流控制器件。場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點,但容易被靜電擊穿,多用作電壓控制型器件。

常見的場效應晶體管有結(jié)型場效應晶體管和絕緣柵型場效應晶體管。

結(jié)型場效應管(Junction Field-E北ct Transistor,簡稱JFET)是利用溝道兩邊的耗盡層寬窄來改變溝道導電特性,并用以控制漏極電流的。為結(jié)型場效應晶體管的實物外形。

知道兩線圈的同名端后,可以很方便地判斷出線圈中互感電動勢的極性。

當電流j1由線圈A的1端流人并增大瞬間,由同名端的定義,可以確定出線圈B中產(chǎn)生的互感電動勢的極性是3端為正,4端為負。

線圈中產(chǎn)生的感應電動勢方向,可用楞次定律進行判定。楞次定律的內(nèi)容是:感應電流的磁通總是反抗原有磁通的變化。

即e=BvJ(Ⅴ)

若導體運動方向與磁力線之間的夾角為α,則:

e=B2Jsinα(V)