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光刻膠會吸收X射線光子隨X射線波長變化改變光電子

發(fā)布時間:2023/7/24 8:58:37 訪問次數(shù):129

單塊集成運(yùn)算放大器電路,即μA702。這款芯片的設(shè)計雖然非常巧妙,但還是存在一些缺陷。其中最大的缺陷是,由于半導(dǎo)體質(zhì)量的變化,有些芯片在IC的輸入級,即所謂的前段,對噪聲過于敏感。

從產(chǎn)品的應(yīng)用角度來說,嵌入式系統(tǒng)是控制、監(jiān)視或者輔助設(shè)備機(jī)器和車間運(yùn)行的裝置。而眾多不同專業(yè)的人士從各自不同的角度思考和定位嵌入式系統(tǒng),所以目前對嵌入式系統(tǒng)的定義非常多。

嵌入式系統(tǒng)按照目前業(yè)界和學(xué)術(shù)界對嵌入式系統(tǒng)的普遍看法,是以應(yīng)用為中心,以計算機(jī)技術(shù)為基礎(chǔ),軟硬件可裁剪,適應(yīng)應(yīng)用系統(tǒng)對功能、可靠性、成本、體積、功耗嚴(yán)格要求的專用計算機(jī)系統(tǒng)。

從電阻屏走向電容屏,從LCD走向LED、從2D屏走向曲面屏、從單攝像頭走向雙攝像頭甚至多攝像頭。我們可以看到,每一次的更新,廠商們都在給消費(fèi)者提供一些創(chuàng)新的體驗(yàn),屏下指紋識別,則是廠商們瞄準(zhǔn)的其中一個發(fā)力點(diǎn)。

正面前面屏,放棄之前的HOME鍵方式的解鎖方式,通過屏幕玻璃下方“感應(yīng)”完成指紋識別解鎖的過程。按照目前主流的兩種屏下指紋識別方案分別是超聲波和光學(xué)兩種。但在他看來,無論是在綜合性能上還是成本上,光學(xué)都有明顯的的優(yōu)勢。

X射線波長極短,使得其不會發(fā)生嚴(yán)重的衍射現(xiàn)象。我們在使用X射線進(jìn)行曝光時對波長的選擇是受到一定因素限制的,在曝光過程中,光刻膠會吸收X射線光子,而產(chǎn)生射程隨X射線波長變化而相繼改變的光電子,這些光電子會降低光刻分辨率,X射線的波長越短,光電子的射程越遠(yuǎn),對光刻越不利。

因此增加X射線的波長有助于提高光刻分辨率。然而長波長的X射線會加寬圖形的線寬,考慮多種因素的影響,通常只能折中選擇X射線的波長。

線寬小到一定程度時(一般為0.01μm以下),被波導(dǎo)效應(yīng)影響,最終得到的圖形線寬要小于實(shí)際掩模圖形,因此X光刻分辨率也受到掩模版與晶圓間距大小的影響。


單塊集成運(yùn)算放大器電路,即μA702。這款芯片的設(shè)計雖然非常巧妙,但還是存在一些缺陷。其中最大的缺陷是,由于半導(dǎo)體質(zhì)量的變化,有些芯片在IC的輸入級,即所謂的前段,對噪聲過于敏感。

從產(chǎn)品的應(yīng)用角度來說,嵌入式系統(tǒng)是控制、監(jiān)視或者輔助設(shè)備機(jī)器和車間運(yùn)行的裝置。而眾多不同專業(yè)的人士從各自不同的角度思考和定位嵌入式系統(tǒng),所以目前對嵌入式系統(tǒng)的定義非常多。

嵌入式系統(tǒng)按照目前業(yè)界和學(xué)術(shù)界對嵌入式系統(tǒng)的普遍看法,是以應(yīng)用為中心,以計算機(jī)技術(shù)為基礎(chǔ),軟硬件可裁剪,適應(yīng)應(yīng)用系統(tǒng)對功能、可靠性、成本、體積、功耗嚴(yán)格要求的專用計算機(jī)系統(tǒng)。

從電阻屏走向電容屏,從LCD走向LED、從2D屏走向曲面屏、從單攝像頭走向雙攝像頭甚至多攝像頭。我們可以看到,每一次的更新,廠商們都在給消費(fèi)者提供一些創(chuàng)新的體驗(yàn),屏下指紋識別,則是廠商們瞄準(zhǔn)的其中一個發(fā)力點(diǎn)。

正面前面屏,放棄之前的HOME鍵方式的解鎖方式,通過屏幕玻璃下方“感應(yīng)”完成指紋識別解鎖的過程。按照目前主流的兩種屏下指紋識別方案分別是超聲波和光學(xué)兩種。但在他看來,無論是在綜合性能上還是成本上,光學(xué)都有明顯的的優(yōu)勢。

X射線波長極短,使得其不會發(fā)生嚴(yán)重的衍射現(xiàn)象。我們在使用X射線進(jìn)行曝光時對波長的選擇是受到一定因素限制的,在曝光過程中,光刻膠會吸收X射線光子,而產(chǎn)生射程隨X射線波長變化而相繼改變的光電子,這些光電子會降低光刻分辨率,X射線的波長越短,光電子的射程越遠(yuǎn),對光刻越不利。

因此增加X射線的波長有助于提高光刻分辨率。然而長波長的X射線會加寬圖形的線寬,考慮多種因素的影響,通常只能折中選擇X射線的波長。

線寬小到一定程度時(一般為0.01μm以下),被波導(dǎo)效應(yīng)影響,最終得到的圖形線寬要小于實(shí)際掩模圖形,因此X光刻分辨率也受到掩模版與晶圓間距大小的影響。


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