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自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)輸出電壓變動(dòng)一般控制方式65%以下

發(fā)布時(shí)間:2023/8/3 23:40:08 訪問(wèn)次數(shù):93

新的同軸PIN二極管SPDT開(kāi)關(guān)具有隔離度和開(kāi)關(guān)速度高的特點(diǎn).

新的單刀雙擲(SPDT)PIN二極管開(kāi)關(guān),其具有出色的可靠性和可重復(fù)性能,采用穩(wěn)定的緊湊型同軸封裝。它們通常用于和測(cè)試與測(cè)量有關(guān)的RF、微波和毫米波測(cè)試系統(tǒng),通信系統(tǒng),衛(wèi)星通信系統(tǒng),航空電子設(shè)備,雷達(dá),高可靠性電子,醫(yī)療設(shè)備,實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)等。

特定應(yīng)用包括接受測(cè)試的或者開(kāi)關(guān)矩陣測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)使用的儀器儀表和器件之間的信號(hào)路由。此外,高開(kāi)關(guān)速度對(duì)于串聯(lián)多個(gè)開(kāi)關(guān)的應(yīng)用或者需要建立高靈敏度發(fā)送與接收開(kāi)關(guān)速率的應(yīng)用至關(guān)重要。

一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積(ALD)工藝,標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的ALTUS®產(chǎn)品系列又添新成員。

通過(guò)業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢(LFW) ALD 工藝,ALTUS Max E系列能夠幫助存儲(chǔ)器芯片制造商應(yīng)對(duì)當(dāng)前所面臨的諸多關(guān)鍵挑戰(zhàn),從而推動(dòng)3D NAND及DRAM 器件尺寸持續(xù)縮小。

這一基于泛林業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造產(chǎn)品組合的全新系統(tǒng)正逐步吸引全球市場(chǎng)的關(guān)注,在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產(chǎn)商投入使用,并且被用于許多新技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。

功率元件最尖端的BiCDMOS工藝,并融入ROHM的模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢(shì),可檢測(cè)從1次側(cè)*3到2次側(cè)的電壓、電流。因此,不再需要以往檢測(cè)2次側(cè)電壓、電流所需的光電耦合器或變壓器的3次繞組以及相關(guān)配件,使部件數(shù)量減少約一半,不僅可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化,還可更省電、可靠性更高。

隔離型電源控制IC存在著瞬間負(fù)載電流的變動(dòng)使輸出電壓產(chǎn)生較大變動(dòng)的課題,因此,ROHM將以往在非隔離型電源控制IC領(lǐng)域具有實(shí)際業(yè)績(jī)的導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù),新應(yīng)用到了隔離型電源控制IC。

利用新開(kāi)發(fā)的自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù),實(shí)現(xiàn)輸出電壓變動(dòng)是一般控制方式的65%以下,僅為200mV,改善了瞬間負(fù)載電流變動(dòng)對(duì)負(fù)載響應(yīng)特性的影響,非常有助于提高可靠性。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

新的同軸PIN二極管SPDT開(kāi)關(guān)具有隔離度和開(kāi)關(guān)速度高的特點(diǎn).

新的單刀雙擲(SPDT)PIN二極管開(kāi)關(guān),其具有出色的可靠性和可重復(fù)性能,采用穩(wěn)定的緊湊型同軸封裝。它們通常用于和測(cè)試與測(cè)量有關(guān)的RF、微波和毫米波測(cè)試系統(tǒng),通信系統(tǒng),衛(wèi)星通信系統(tǒng),航空電子設(shè)備,雷達(dá),高可靠性電子,醫(yī)療設(shè)備,實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)等。

特定應(yīng)用包括接受測(cè)試的或者開(kāi)關(guān)矩陣測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)使用的儀器儀表和器件之間的信號(hào)路由。此外,高開(kāi)關(guān)速度對(duì)于串聯(lián)多個(gè)開(kāi)關(guān)的應(yīng)用或者需要建立高靈敏度發(fā)送與接收開(kāi)關(guān)速率的應(yīng)用至關(guān)重要。

一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積(ALD)工藝,標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的ALTUS®產(chǎn)品系列又添新成員。

通過(guò)業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢(LFW) ALD 工藝,ALTUS Max E系列能夠幫助存儲(chǔ)器芯片制造商應(yīng)對(duì)當(dāng)前所面臨的諸多關(guān)鍵挑戰(zhàn),從而推動(dòng)3D NAND及DRAM 器件尺寸持續(xù)縮小。

這一基于泛林業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造產(chǎn)品組合的全新系統(tǒng)正逐步吸引全球市場(chǎng)的關(guān)注,在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產(chǎn)商投入使用,并且被用于許多新技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。

功率元件最尖端的BiCDMOS工藝,并融入ROHM的模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢(shì),可檢測(cè)從1次側(cè)*3到2次側(cè)的電壓、電流。因此,不再需要以往檢測(cè)2次側(cè)電壓、電流所需的光電耦合器或變壓器的3次繞組以及相關(guān)配件,使部件數(shù)量減少約一半,不僅可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化,還可更省電、可靠性更高。

隔離型電源控制IC存在著瞬間負(fù)載電流的變動(dòng)使輸出電壓產(chǎn)生較大變動(dòng)的課題,因此,ROHM將以往在非隔離型電源控制IC領(lǐng)域具有實(shí)際業(yè)績(jī)的導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù),新應(yīng)用到了隔離型電源控制IC。

利用新開(kāi)發(fā)的自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù),實(shí)現(xiàn)輸出電壓變動(dòng)是一般控制方式的65%以下,僅為200mV,改善了瞬間負(fù)載電流變動(dòng)對(duì)負(fù)載響應(yīng)特性的影響,非常有助于提高可靠性。

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