可編程AH1903在缺省模式下為單極性器件封裝有標(biāo)記表面檢測南極磁場

發(fā)布時間:2023/8/25 18:57:54 訪問次數(shù):144

AH1902為全極性器件，可檢測南北兩極磁場�？删幊痰腁H1903在缺省模式下為單極性器件，在封裝有標(biāo)記的表面檢測南極磁場。

全極性AH1902采用DFN1216-4、超薄DFN2015-6及SOT553封裝。采用了1.2x1.6x0.5mm DFN1216-4封裝的AH1903更是全行業(yè)最小的全極性或單極性可編程霍爾開關(guān)。

電池被分割成很多個小節(jié)，并且通過類似手表腕帶的形式進(jìn)行聯(lián)結(jié)，多個可折疊的小電池通過層疊的方式可以構(gòu)成一塊標(biāo)準(zhǔn)大小的電池。這樣的設(shè)計可以充分利用有限度的空間來開發(fā)便攜式電子設(shè)備，這款設(shè)備的外觀可能類似于手表。

FemtoFET MOSFET系列的主要特性與優(yōu)勢：

不足100毫歐的導(dǎo)通電阻比類似器件低70%，可節(jié)省電源，延長電池使用壽命；

FemtoFET 0.6毫米×1.0毫米×0.35毫米的LGA封裝比標(biāo)準(zhǔn)CSP小40%；

1.5A至3.1A的持續(xù)漏極電流值與當(dāng)前市場類似尺寸器件相比，可提供超過2倍的性能。

三個N通道及三個P通道FemtoFET MOSFET均采用平面柵格陣列(LGA)封裝，與芯片級封裝(CSP)相比，其可將板積空間銳減40%。CSD17381F4與CSD25481F4支持不足100毫歐的導(dǎo)通電阻，比目前市場上類似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超過4000V的人體模型(HVM)靜電放電(ESD)保護(hù)。

通過一個簡單的選擇引腳，外部邏輯源或微控制器能夠根據(jù)磁場方向隨時把AH1903設(shè)置成全極性模式，以滿足多種應(yīng)用的需求。這兩款開關(guān)的靈敏度高，能夠使用磁場強(qiáng)度較弱的磁石，或延伸檢測距離。它們的典型開關(guān)點(diǎn)工作閾值為±35G。

從1.6V到3.6V的低壓供電范圍內(nèi)使用而設(shè)計。加上不可或缺的休眠功能和典型值為4.3μA的低電流消耗，這些新器件是電池供電應(yīng)用中的理想選擇。

為了實現(xiàn)產(chǎn)品微型化，兩款開關(guān)都提供節(jié)省空間的超薄表面貼裝封裝選擇。