角度檢測應(yīng)用中具備強(qiáng)大IC保護(hù)功能器件滿足嚴(yán)格汽車應(yīng)用需求
發(fā)布時間:2023/9/9 15:08:08 訪問次數(shù):307
獨創(chuàng)的缺陷控制技術(shù)和篩選法，使可靠性得以確保。針對SiC制備過程中特有的1700℃高溫工序,為了防止其發(fā)生特性劣化,開發(fā)了控制技術(shù),確立了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)體制。
內(nèi)置最先進(jìn)的SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種元件，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，可以將電力轉(zhuǎn)換時的損耗降低85％。
另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。該產(chǎn)品的額定電流為100A，通過高速開關(guān)和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進(jìn)行替換。
通過設(shè)計和工藝的改善，開發(fā)出散熱性卓越的模塊。替換傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊時，體積可減小約50％。
由于損耗低，因此發(fā)熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設(shè)備整體的小型化。
開關(guān)損耗降低85％，內(nèi)置了最先進(jìn)的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比，開關(guān)損耗可降低85％。磁旋轉(zhuǎn)編碼器IC AS5163，這是角度檢測應(yīng)用中首款具備強(qiáng)大IC保護(hù)功能的器件，以滿足嚴(yán)格的汽車應(yīng)用需求。
內(nèi)部閃存采用了使用壽命長的SLC閃存,加上GBDriver RS3強(qiáng)大的糾錯功能、斷電容錯算法,數(shù)據(jù)統(tǒng)計功能以及自動刷新功能(AR)從而實現(xiàn)了信賴性高、使用壽命長的SSD設(shè)備。
單芯片電能計量AFE（模擬前端）ADE7816，它最多能監(jiān)控6個電路的能耗及電能質(zhì)量。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。該產(chǎn)品的額定電流為100A，通過高速開關(guān)和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進(jìn)行替換。
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由于損耗低，因此發(fā)熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設(shè)備整體的小型化。
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