HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。

新款SOT-23 MOSFET器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過(guò)大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。

新器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度(MSL1)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 。

這可卸下DSP內(nèi)核的計(jì)算密集型正向糾錯(cuò)(FEC)任務(wù)，使其能夠處理其它功能與任務(wù)，從而可降低總體系統(tǒng)成本；

2MB片上L2存儲(chǔ)器(高速緩存高達(dá)1MB)，更快速的32位DDR2 EMIF（667MHz）與存儲(chǔ)器、高速緩存以及總線架構(gòu)的提升實(shí)現(xiàn)了性能提升，這不但可為客戶的設(shè)計(jì)方案提供更優(yōu)異的高速緩存與存儲(chǔ)器性能，同時(shí)還可為其存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)或應(yīng)用特性提供更高的存儲(chǔ)容量.

F-RAM內(nèi)存的讀寫速度比EEPROM快一百倍。其次，F(xiàn)-RAM的讀寫電壓比EEPROM低，對(duì)微弱RF讀/寫磁場(chǎng)的靈敏度更高，因此寫入距離更長(zhǎng)。

每周的產(chǎn)業(yè)新聞中都會(huì)出現(xiàn)采用RF技術(shù)的新的應(yīng)用報(bào)道，例如被動(dòng)、半被動(dòng)、主動(dòng)的電子卷標(biāo)芯片。在這些新應(yīng)用中，有些要求或希望在標(biāo)識(shí)其資產(chǎn)的 RFID芯片上可儲(chǔ)存更多的信息。

到目前為止，僅有少數(shù)廠商可以提供有較大內(nèi)存容量卷標(biāo)的產(chǎn)品，大多數(shù)廠商只能提供容量?jī)H比傳統(tǒng)純EPC標(biāo)簽多數(shù)百個(gè)存儲(chǔ)位的產(chǎn)品。

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