SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mmx6mm,占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半.而且,與無引線DFN封裝的MOSFET相比,在整機(jī)設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時(shí),PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級(jí)的可靠性。

在功率因數(shù)校正、反激、雙管正激轉(zhuǎn)換器，以及HID和LED照明、工業(yè)、電信、消費(fèi)和計(jì)算類應(yīng)用的電源適配器等硬開關(guān)拓?fù)渲�，這些參數(shù)意味著MOSFET能實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，有效節(jié)約能源。

MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖，保證限值通過100%的UIS測(cè)試。

STM32微控制器加密算法庫成功通過密碼算法驗(yàn)證體系(US Cryptographic Algorithm Validation Program,CAVP)驗(yàn)證,有助于客戶快速,經(jīng)濟(jì)地提高新產(chǎn)品的安全性。

作為STM32Cube軟件包的擴(kuò)展模塊，X-CUBE-CRYPTOLIB算法庫可直接用于基于STM32的注重安全的產(chǎn)品，包括物聯(lián)網(wǎng)(IoT)硬件、銷售終端設(shè)備、智能表計(jì)、門禁系統(tǒng)和指紋識(shí)別模塊。

STM32密碼算法庫包括所有主要的加密算法、hashing算法、信息驗(yàn)證和數(shù)字簽名算法，讓開發(fā)人員能夠滿足應(yīng)用設(shè)計(jì)在數(shù)據(jù)完整性、保密、識(shí)別/驗(yàn)證和不可否認(rèn)方面的全部安全要求。

模塊能夠在300℃的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行1000小時(shí)以上。已經(jīng)對(duì)包含2個(gè)1,200V碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)進(jìn)行了測(cè)試，在室溫和300℃下分別切換了500V和200V電壓。

BJT由驅(qū)動(dòng)器電路控制，利用Raytheon專有的高溫碳化硅(HiTSiC)工藝制造而成。

雖然碳化硅晶體管可以切換高電壓和處理高溫，但是傳統(tǒng)的硅基柵極驅(qū)動(dòng)器電路無法處理熱量。絕緣體上硅將標(biāo)準(zhǔn)提高至220℃，但對(duì)于某些現(xiàn)有和新興的電力電子應(yīng)用而言這仍然不夠高。

但是，Raytheon HiTSiC CMOS電路設(shè)計(jì)在300℃下運(yùn)行，并且已經(jīng)在更高的溫度下進(jìn)行了測(cè)試。

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