低成本、中速數(shù)字Bi￡MOs工藝只需要向一個(gè)現(xiàn)有的N阱CMOs工藝額外增加一塊用于形成輕摻雜的P型區(qū)域的掩膜版,該區(qū)域用做雙極型晶體管的P型基極,CMOs的N阱做晶體管的集電極。 

三極管的發(fā)射極由CMOs工藝中NMOs的源漏注入完成,器件之間的隔離采用LOCOS隔離。

襯底可以為P型,也可以為/型襯底上的一個(gè)P型外延層。這種工藝被稱為3次擴(kuò)散(Trip⒗-DⅡ詆cd,3D)Bi￡MOs工藝,因?yàn)殡p極晶體管是通過3次擴(kuò)散而成的。3D雙極型晶體管最大的缺點(diǎn)是集電極串聯(lián)電阻(Rc)大。

對(duì)于N阱的集電極而言,這個(gè)電阻值的大小一般為2kΩ。在強(qiáng)電流條件下,Rc值偏大可導(dǎo)致基極-集電極結(jié)的內(nèi)部偏置減小,使得驅(qū)動(dòng)電流變小,從而導(dǎo)致門延遲增大。

整個(gè)加速期間APU控制組件控制計(jì)量燃油,滿足在安全工作極限內(nèi)的最好的加速,即加速盡可能快而EGT不超出啟動(dòng)限制。

如果EGT超限,停止啟動(dòng)程序。大多數(shù)APU控制組件也監(jiān)視啟動(dòng)程序期間的加速率,如果加速率太低,控制組件停止啟動(dòng)程序。因?yàn)樵诘退傧?/span>工作時(shí)間長(zhǎng)引起APU熱應(yīng)力高。

APU到達(dá)工作轉(zhuǎn)速后,控制組件確保恒速和EGT不超限。APU控制組件使用轉(zhuǎn)速信號(hào)和力矩馬達(dá)信號(hào)控制恒速,通過改變力矩馬達(dá)信號(hào)改變?nèi)加陀?jì)量實(shí)現(xiàn)。

負(fù)荷增大使APU轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速下降,保持恒速就需要加油,結(jié)果是排氣溫度增高。進(jìn)氣溫度信號(hào)用于防止超溫,進(jìn)氣壓力信號(hào)用于隨空氣密度改變最佳化燃油計(jì)量。

AMD新款G系列嵌入式處理器右下方標(biāo)示“X”字樣代表x86架構(gòu)產(chǎn)品，透露AMD未來采用ARM架構(gòu)的產(chǎn)品規(guī)劃。

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