集成器件最高電壓更改器件結(jié)構(gòu)和工藝步驟以適合數(shù)模應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2023/10/11 22:53:45 訪問(wèn)次數(shù):86

數(shù)�；旌螧i-CMOS與數(shù)字Bi-CMOs工藝之間的基本區(qū)別在于,數(shù)�；旌螧i-CMOs通常工作在一個(gè)較寬的工作電壓(高于10V)范圍。由于這些高電壓超出了一些由5V兼容Bi-CMOs工藝中所集成的器件的最高電壓,ESD11B5.0ST5G因此必須更改器件結(jié)構(gòu)和工藝步驟以適合數(shù)模應(yīng)用。

中壓數(shù)�；旌瞎に囆枰獙�(duì)CMOs和雙極器件的性能進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),以滿足高電壓的要求。

對(duì)CMOS的速度和性能進(jìn)行折中,以滿足在高電壓下可靠地工作(例如,柵氧需要加厚以便能滿足更高柵壓的要求,但飽和電流將會(huì)模擬功能也需要無(wú)源器件,這些無(wú)源器件必須具有較小的溫度和電壓系數(shù)。

數(shù)模Bi￡MOs工藝根據(jù)其應(yīng)用可再分為:

中壓(10~30V)工藝,基于CMOS工藝流程;

大功率(大于30V且大于lA)工藝,基于功率模擬工藝流程。

多晶硅電阻因具有比擴(kuò)散電阻更小的溫度系數(shù)而在需要精確電阻的場(chǎng)合得到大量使用。

與此類似,由于空穴注入可以忽略,由電子一空穴結(jié)合引起的界面態(tài)產(chǎn)生已變得不重要。

正常工作期間,轉(zhuǎn)速受很多因素影響,如引氣負(fù)荷,電負(fù)荷,進(jìn)氣溫度和進(jìn)氣壓力。

漏極附近形成高電場(chǎng)區(qū),載流子一進(jìn)入該區(qū),就從電場(chǎng)獲得很高的能量而成為熱載流子。

另外,漏極附近熱載流子的運(yùn)動(dòng)因碰撞電離而產(chǎn)生電子―空穴對(duì)。產(chǎn)生的多數(shù)空穴流向襯底,形成襯底電流,部分空穴隨著漏極向柵極正向電場(chǎng)的形成而注入氧化層。這樣電子和空穴這兩種載流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大變動(dòng),這時(shí)產(chǎn)生的是溝道熱載流子注入效應(yīng)。

由于超深亞微米器件工作電壓太低,不能產(chǎn)生明顯的電荷俘獲,并且由于柵氧化層太薄,俘獲電荷易發(fā)生泄漏,因此電荷俘獲可以忽略。