IR3853、IR3856和IR3859 SupIRBuck穩(wěn)壓器在4x5mm的超薄PQFN封裝內(nèi)集成了高性能的控制器和IR最新的MOSFET，分別提供4A、6A和9A的輸出電流，以達(dá)到超過96%的峰值效率。

在為12V輸入電壓進(jìn)行優(yōu)化的同時，這些器件也可以使5V單軌輸入電壓應(yīng)用獲得卓越的效率。

由于可編程開關(guān)頻率高達(dá)1.5MHz且只有4x5mm的占位面積，新穩(wěn)壓器不但縮減了體積和成本，更能實現(xiàn)更高的功率密度。

此外，這些器件的通用占位面積為設(shè)計帶來了靈活性，且允許剪貼布局.

為了幫助客戶開發(fā)出更穩(wěn)健的多內(nèi)核基站，以使運營商能夠優(yōu)化其頻譜、財務(wù)與網(wǎng)絡(luò)資源，開發(fā)了集成三大重要元素的TCI6616 SoC：業(yè)經(jīng)驗證具有優(yōu)異性能的PHY技術(shù)、自動數(shù)據(jù)包處理引擎，以及可全面滿足多內(nèi)核要求的可編程DSP。

高性能的網(wǎng)絡(luò)協(xié)處理器可為所有無線基站標(biāo)準(zhǔn)提供L2和傳輸加速功能，從而實現(xiàn)內(nèi)核與無線電廣播網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包處理的自動化；

Multicore Navigator與Open Navigator編程接口可為多內(nèi)核SoC提供類似于單內(nèi)核的簡單效果.

IDT3C02振蕩器可產(chǎn)生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機械諧振器。

也許這些選項中最為關(guān)鍵的是工廠可編程的工作頻率，與傳統(tǒng)的石英解決方案相比，有助于縮短交貨時間，包括特殊或罕見的頻率。

該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的5×3.2mm石英晶體兼容封裝，即低成本、低高度的MSL1塑料IC封裝，無需陶瓷密封的封裝。

IDT3C02還具有200nA（典型值）的低功耗待機模式，以及100μs（典型值）的快速啟動時間。