600V、47A N溝道功率MOSFET---SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。

柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業(yè)界此類器件當(dāng)中最低的。

SiHG47N60S的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在太陽能電池和風(fēng)力發(fā)電機的逆變器、通信、服務(wù)器和電機控制電源應(yīng)用中的逆變器電路和脈寬調(diào)制(PWM)全橋拓?fù)渲泄?jié)約能源。

TMS320TCI6616 SoC自設(shè)計之初即以無線數(shù)據(jù)引擎為構(gòu)建目標(biāo)，其建立在全新TMS320C66x數(shù)字信號處理器(DSP)與KeyStone多內(nèi)核架構(gòu)基礎(chǔ)之上，擁有比當(dāng)前市面上任意一款3G/4G SoC高出兩倍的性能。

TCI6616還可大幅提升業(yè)界首款能夠同時處理定點和浮點數(shù)學(xué)運算的多內(nèi)核DSP的性能，這一極富創(chuàng)新性的強大功能可顯著簡化無線基站的軟件設(shè)計。

新器件不再需要傳統(tǒng)的雙級POL轉(zhuǎn)換,并能通過從12Vin直接操作達(dá)到節(jié)省能源,縮減體積和成本的效果。

Armada XP是一個SoC芯片，最高可以提供16,600 Dhrystone MIPS的性能，而功耗只有10W。

芯片還包括了2MB L2緩存、支持頻率高達(dá)8090MHz的64位接口的DDR2/3內(nèi)存、支持四條PCI-E 2.0鏈路和16條SerDes信道。