芯片具有這種散熱片對幾塊PC電路板進行測試獲得一些區(qū)域
發(fā)布時間:2023/11/17 0:11:23 訪問次數(shù):108
測量出IC在其實際設(shè)計環(huán)境(PC板)中的實際熱阻。然后,將其同“理想”JEDEC數(shù)值對比。
熱錯誤標志(TEF)或類似功能的IC,這種功能可以指示IC結(jié)點處的超高溫狀態(tài)。使用TI的TLC5940 LED驅(qū)動器解決方案芯片。
一般而言,大多數(shù) IC的最大Tj(查看您的產(chǎn)品說明書獲取實際數(shù)值)約為150℃。就TLC5940器件來說,TEF的Tj變化范圍在150℃到170℃之間。
此處的測試中,我們只關(guān)心測試電路板上具體芯片的Tj情況。我們將其用作方程式的替代引用,該方程式計算得到具體測試PC電路板的熱阻Theta JA。
它應(yīng)該非常明顯地表明我們的散熱設(shè)計質(zhì)量。如果芯片具有這種散熱片,則對幾塊PC電路板進行測試以獲得一些區(qū)域(例如:PowerPad)焊接完整性的較好采樣,目的是正確使用這種獨特的封裝散熱片技術(shù)。
現(xiàn)在,通過緩慢增加Pd直至TEF斷開,我們將全部負載施加到IC。在TLC5940中,我們改變外部電阻R(IREF),其設(shè)置器件的Io吸收電流。
如果超高溫電路有滯后,則電路會緩慢地溫度循環(huán),從而要求我們緩慢地降低Pd直至循環(huán)停止。這時,恒溫槽溫度應(yīng)被記錄為Pd最大值。
Theta JA額定值一般基于諸如JEDEC#JESD51的行業(yè)標準,其使用的是一種標準化的布局和測試電路板。100G單λ解決方案是由IEEE認可的方法,可顯著降低通常安裝在光收發(fā)器模塊中的光學(xué)組件數(shù)量并降低成本。

基于MultiSynth架構(gòu)的Si5332系列產(chǎn)品同樣針對電源效率進行了優(yōu)化,功耗比競爭對手低50-60%。
每個Si5332時鐘輸出可配置為LVPECL、LVDS、HCSL或LVCMOS時鐘格式,并支持1.8V-3.3V電平,這無需分立的格式或電壓轉(zhuǎn)換器,簡化了與FPGA、ASIC和SoC的接口設(shè)計。
測量出IC在其實際設(shè)計環(huán)境(PC板)中的實際熱阻。然后,將其同“理想”JEDEC數(shù)值對比。
熱錯誤標志(TEF)或類似功能的IC,這種功能可以指示IC結(jié)點處的超高溫狀態(tài)。使用TI的TLC5940 LED驅(qū)動器解決方案芯片。
一般而言,大多數(shù) IC的最大Tj(查看您的產(chǎn)品說明書獲取實際數(shù)值)約為150℃。就TLC5940器件來說,TEF的Tj變化范圍在150℃到170℃之間。
此處的測試中,我們只關(guān)心測試電路板上具體芯片的Tj情況。我們將其用作方程式的替代引用,該方程式計算得到具體測試PC電路板的熱阻Theta JA。
它應(yīng)該非常明顯地表明我們的散熱設(shè)計質(zhì)量。如果芯片具有這種散熱片,則對幾塊PC電路板進行測試以獲得一些區(qū)域(例如:PowerPad)焊接完整性的較好采樣,目的是正確使用這種獨特的封裝散熱片技術(shù)。
現(xiàn)在,通過緩慢增加Pd直至TEF斷開,我們將全部負載施加到IC。在TLC5940中,我們改變外部電阻R(IREF),其設(shè)置器件的Io吸收電流。
如果超高溫電路有滯后,則電路會緩慢地溫度循環(huán),從而要求我們緩慢地降低Pd直至循環(huán)停止。這時,恒溫槽溫度應(yīng)被記錄為Pd最大值。
Theta JA額定值一般基于諸如JEDEC#JESD51的行業(yè)標準,其使用的是一種標準化的布局和測試電路板。100G單λ解決方案是由IEEE認可的方法,可顯著降低通常安裝在光收發(fā)器模塊中的光學(xué)組件數(shù)量并降低成本。

基于MultiSynth架構(gòu)的Si5332系列產(chǎn)品同樣針對電源效率進行了優(yōu)化,功耗比競爭對手低50-60%。
每個Si5332時鐘輸出可配置為LVPECL、LVDS、HCSL或LVCMOS時鐘格式,并支持1.8V-3.3V電平,這無需分立的格式或電壓轉(zhuǎn)換器,簡化了與FPGA、ASIC和SoC的接口設(shè)計。
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