隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越來越高。

專有Trench 3工藝的下一代MOSFET產品，可用于臺式機、筆記本和上網本等應用，有助于提升能效及開關性能，同時裸片尺寸更小。

同時利用封裝技術實現(xiàn)產品創(chuàng)新，以更纖薄的封裝、更低占位面積實現(xiàn)更高I/O密度，不斷提高封裝熱效率及工作溫度范圍，也使每個封裝的裸片尺寸選擇更多。還將以更薄、直徑更大的晶圓和銅線夾來降低材料成本.

氮化鎵(GaN)晶圓生產工藝、GaN器件集成工藝、GaN制造工藝、GaN封裝工藝、絕緣硅晶圓生產工藝、接觸/隔離溝槽工藝模塊、低電感封裝、電感和電容集成等眾多工藝技術；

在電壓高于1kV的大功率晶體管方面，雙極結構已成為首選；低于1kV電壓，特別是頻率高于100kHz時，更多采用的是MOSFET。高于此電壓的大電流應用則選擇IGBT。

開發(fā)這類器件的主要挑戰(zhàn)在于，在開關頻率持續(xù)上升時，需要通過減小由導通阻抗導致的導電損耗、降低內部電容，以及改善反向恢復性能，將內部損耗降到最低。

除了兼容2G與3G，TD-LTE于FDDLTE的共模也是TD-LTE終端芯片發(fā)展的重要方向。目前，大部分芯片廠商已經開發(fā)出共模的產品，絕大多數廠商已經開始研發(fā)共模的TD-LTE芯片。

對于每列6對差分的連接器，對應最小為36毫米的卡槽間距，每英寸提供82.4個差分信號對。

對于每列4對差分的連接器，對應最小為25毫米的卡槽間距，每英寸提供54.9個信號對。

對于每列2對差分的連接器，對應的插卡槽間距小至15毫米，沿卡緣每英寸可提供27.5個信號對。

超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展。

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