SOI技術(shù)不存在寄生二極管結(jié)構(gòu)，具有出色的穩(wěn)健性， 以及業(yè)界一流的對(duì)VS引腳上抗負(fù)瞬態(tài)電壓尖峰的能力。這些雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成了自舉二極管，可為外部高壓側(cè)自舉電容供電，從而進(jìn)一步降低系統(tǒng)級(jí)BOM成本。

這些半導(dǎo)體器件采用緊湊型3x3 mm² VSON10封裝，并且提供半橋（HB）和高邊+低邊（HS+LS）兩種配置以及兩種不同的拉/灌電流，可以在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)n溝道MOSFET。

此外，相關(guān)的JEDEC78/20/22測(cè)試表明，MOTIX 160V解決方案完全滿足工業(yè)應(yīng)用要求。

300W和600W參考設(shè)計(jì)將SuperGaN FET與控制器配對(duì)，采用流行的功率因數(shù)校正 (PFC) 和諧振 LLC 拓?fù)洌渲蠰LC特別針對(duì)寬電池電量范圍（從空電到滿電）的設(shè)計(jì)。利用 Transphorm 的 SuperGaN 平臺(tái)，電源系統(tǒng)開發(fā)人員能夠最大限度發(fā)揮PFC+LLC的性能潛力，以最具競(jìng)爭(zhēng)力的成本實(shí)現(xiàn)這些拓?fù)渌苓_(dá)到的最高效率。

這兩款參考設(shè)計(jì)采用純模擬控制器，而不是需要固件的數(shù)字控制器。這種配置具有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)，例如更易于設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開發(fā)簡(jiǎn)化，原因如下：

開發(fā)資源要求降低

開發(fā)時(shí)間縮短

無需進(jìn)行可能很復(fù)雜的固件編程/維護(hù)

300W參考設(shè)計(jì)包括一個(gè)額外的 PWM 輸入端口，用于獲取低于額定輸出值的輸出電流，從而進(jìn)一步提高了應(yīng)對(duì)各類電池的靈活性。