eMMC NANDrive® VX系列采用153球封裝，搭配高可靠的3D TLC NAND(每單元3bit)，可在寬溫(-25oC-+85oC)環(huán)境下工作，有16GB、32GB和64GB三種容量供選擇，其順序讀/寫(xiě)性能高達(dá)318/227 MB/s，并且耐久性為3千擦寫(xiě)次數(shù) (P/E Cycles) 。

VX系列寬溫eMMC NANDrive固態(tài)硬盤(pán)將低成本與高性能以及先進(jìn)的功能相結(jié)合，來(lái)滿(mǎn)足工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)、POS機(jī)和交通運(yùn)輸?shù)葢?yīng)用的各種需求。VX系列產(chǎn)品為我們的客戶(hù)提供了更多的選擇，客戶(hù)可根據(jù)其價(jià)格、性能和耐久性的要求來(lái)選擇可靠的eMMC固態(tài)硬盤(pán)。

它特別適用于醫(yī)療傳感器的身份驗(yàn)證和校準(zhǔn)、一次性外設(shè)的配置與監(jiān)測(cè)、資產(chǎn)跟蹤以及保護(hù)支持NFC功能的嵌入式系統(tǒng)。

它具有先進(jìn)功能,為各種應(yīng)用的產(chǎn)品驗(yàn)證、功能和外設(shè)安全管理提供了非接觸解決方案。

變?nèi)荻�極管PN結(jié)存在電容,當(dāng)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí),由于外加電場(chǎng)與結(jié)電場(chǎng)方向相反,相當(dāng)于電荷儲(chǔ)存在PN結(jié),當(dāng)二極管兩端加反向偏置電壓時(shí),由于外加電場(chǎng)與結(jié)電場(chǎng)方向相同,相當(dāng)于PN結(jié)放出電荷,由此二極管的PN結(jié)等效于一個(gè)電容,這個(gè)電容稱(chēng)為結(jié)電容。

變?nèi)荻�極管就是根據(jù)電壓變化而改變結(jié)電容的半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于調(diào)諧器電路和調(diào)制電路中。

它是分布式直流電源系統(tǒng)（POL）的理想選擇，可作為FPGA、ASIC和微處理器核心電源的可靠來(lái)源，有助于確保穩(wěn)定和優(yōu)化的電力輸送。