7500系列產(chǎn)品采用232層3D NAND閃存芯片，該芯片采用了CuA架構(gòu)，使用NAND的字符串堆疊技術(shù)，新技術(shù)可以大大減小NAND閃存的芯片尺寸，有助于降低成本.

SSD具有低于1ms的6x9 QoS延遲，最大順序讀取速度達(dá)7GB/s，寫(xiě)入5.9GB/s（比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高出97%），最大隨機(jī)讀取1100K IOPS（高出13%），寫(xiě)入410K IOPS（高出242%）。

適用于數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的7500 NVMe SSD，主要面向數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)應(yīng)用，包括了云服務(wù)器和企業(yè)服務(wù)器。

移動(dòng)平臺(tái)和最高速移動(dòng)DRAM相結(jié)合，智能手機(jī)用戶將能夠體驗(yàn)驚人的AI功能。

在電路裝配過(guò)程中,普通元器件的引腳都是偏K一些的,焊接完成后,需要剪斷多余的引腳,水口鉗就是用來(lái)剪斷引腳的上具。

水口鉗的鉗口一面是斜面的,一而是平面的,特別適合用來(lái)剪斷元件引腳。水口鉗是6寸的、大小適中。

最低電壓標(biāo)準(zhǔn)范圍1.01~1.12V（伏特）下運(yùn)行，在功耗方面也具備了優(yōu)勢(shì)。

在開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品的過(guò)程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工藝，在運(yùn)行速度和功耗方面都有效提高了性能。在下一代的LPDDR6 DRAM問(wèn)世前，LPDDR5T DRAM在移動(dòng)DRAM市場(chǎng)上占據(jù)很大比重。

在DRAM晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高K柵電介質(zhì)，在防止漏電的同時(shí)還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內(nèi)存速度，還可降低功耗。