全新精密溫度傳感器TS5111，用于DDR5存儲(chǔ)器模塊以及其它需要精確、實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控的多種應(yīng)用，例如固態(tài)磁盤（SSD）、計(jì)算主板和通信設(shè)備等。

符合JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)的全新溫度傳感器使內(nèi)存模塊和其它溫度敏感系統(tǒng)能夠通過實(shí)時(shí)、閉環(huán)的熱管理算法以高效率及可靠性運(yùn)行。

TS5111支持I²C、SMBUS以及全新I3C Basic協(xié)議，可支持高達(dá)12.5MHz的數(shù)據(jù)速率及其它高級(jí)功能，如帶內(nèi)中斷、奇偶校驗(yàn)和數(shù)據(jù)包錯(cuò)誤校驗(yàn)。

電擊可以對(duì)人體造成內(nèi)部傷害。因?yàn)槿梭w內(nèi)部具有較高的電阻,所以當(dāng)電流流經(jīng)人體內(nèi)部時(shí),會(huì)產(chǎn)生高熱現(xiàn)象。這種高熱現(xiàn)象會(huì)對(duì)人體內(nèi)部組織造成破壞,并對(duì)呼吸、心臟和神經(jīng)系統(tǒng)造成損傷,影響人體器官的正常丁作,嚴(yán)重者導(dǎo)致死亡.

而對(duì)于心臟器官的跳動(dòng)運(yùn)行,甚至不需要太大的電流就可以使其喪失功能。

電擊,閃電、家用電線、插座或某些帶電負(fù)載等,都可能引起電擊事故。而根據(jù)人體電阻大小和觸電持續(xù)時(shí)問的長(zhǎng)短,會(huì)造成不同程度的電擊損傷,嚴(yán)重程度為輕度燒傷,甚至死亡。

MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運(yùn)行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設(shè)接口（SPI）。

工作電壓3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽車級(jí)FRAM產(chǎn)品。但高端汽車電控單元的推出，使得一些客戶開始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。這款全新FRAM正是為了滿足這一市場(chǎng)需求而面世的。

除2Mbit FRAM，目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲(chǔ)產(chǎn)品。將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿足市場(chǎng)和客戶的未來(lái)需求。  

http://yushuo.51dzw.com市裕碩科技有限公司