Z-Wave 700系列集成了基于ARM®處理器的強(qiáng)大平臺(tái)和大容量片上存儲(chǔ)器，能夠在邊緣地帶提供更多智能，并在一秒內(nèi)實(shí)現(xiàn)安全保護(hù)。

節(jié)能型Z-Wave 700平臺(tái)可采用紐扣電池供電，這極大地?cái)U(kuò)展了無線傳感器的應(yīng)用范圍。增強(qiáng)的射頻性能使得Z-Wave 700設(shè)備能夠擺脫傳統(tǒng)距離限制，無縫覆蓋到庭院邊緣地帶以及家居生活的每個(gè)角落。

長(zhǎng)距離、低功耗和面向未來的平臺(tái)部署到自己新的智能家居應(yīng)用中。開發(fā)人員現(xiàn)在可以利用先進(jìn)的平臺(tái)特性——整合了Z-Wave為人熟知的互操作性、業(yè)界領(lǐng)先的S2安全性和SmartStart安裝方式。

Ga2O3的技術(shù)影響將受到通過“熔融法”生長(zhǎng)的天然物質(zhì)的充分支持，這種物質(zhì)是硅工業(yè)的關(guān)鍵賦能者之一。硅工業(yè)主導(dǎo)了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，每年的回報(bào)達(dá)幾千億美元縱向碳化硅（ SiC ）與氮化鎵 （GaN）功率器件已經(jīng)在某種程度上，受到襯底高成本的阻礙。

對(duì)于Ga2O3來說，高質(zhì)量與大尺寸的天然襯底，相對(duì)于目前采用的寬禁帶SiC與GaN技術(shù)，為這種迅速涌現(xiàn)的新興技術(shù)提供一個(gè)獨(dú)特且顯著的成本優(yōu)勢(shì)。

該演示項(xiàng)目運(yùn)行在SPC58ECxx 探索板上，與ECC驗(yàn)證相比，GTC方法的性能優(yōu)勢(shì)明顯。

在運(yùn)算時(shí)間和ROM/RAM內(nèi)存占用率方面對(duì)GTC解決方案與橢圓曲線密碼學(xué)(ECDSA+ECDH)方案進(jìn)行了比較，不難看出，橢圓曲線密碼學(xué)方案的運(yùn)算時(shí)間長(zhǎng)達(dá)GTC方法的12.6倍。