電流通過(guò)人體的任何部位都可致人死亡,但以通過(guò)心臟、中樞神經(jīng)(腦、脊髓)、呼吸系統(tǒng)最為危險(xiǎn)。電流流經(jīng)左手至前胸最危險(xiǎn),危害程度依次減小的其他觸電路徑是右手至腳、右手至左手、左腳至右腳。當(dāng)觸電電流流經(jīng)腳部時(shí),觸電者可能因痙攣而摔倒,導(dǎo)致電流通過(guò)全身或發(fā)生二次事故。

觸電者的傷害程度還與其性別、年齡、健康狀況、精神狀態(tài)等有關(guān)。若觸電者本人的精神狀態(tài)不良、心情憂(yōu)郁、人弱體衰.自身的抵抗力低下.則觸電的傷害程度較之健康者更嚴(yán)重。另外,相對(duì)于男性青壯年,婦女、兒童、老人及體重較輕者對(duì)耐受電流刺激的能力要弱一些。

一般而言，SLC有著最快速的程序編程與讀取、使用壽命最長(zhǎng)、價(jià)格最高，主要用于一些高端的軍工規(guī)或企業(yè)級(jí)SSD;MLC的速度、壽命、價(jià)格適中，是目前中高階企業(yè)級(jí)SSD的主流應(yīng)用趨勢(shì);而低價(jià)SSD則普遍采用TLC顆粒，容量較高且價(jià)格相對(duì)低廉，但在性能、穩(wěn)定度與使用壽命上卻略顯不足。

可垂直堆疊數(shù)層儲(chǔ)存資料的3D NAND Flash技術(shù)使單位儲(chǔ)存成本大幅下降后，SSD便突破傳統(tǒng)平面式快閃記憶體的物理極限，擴(kuò)大了以往因顧及制造工藝而受限的容量規(guī)格。

利用3D NAND Flash技術(shù)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，使其即便在使用MLC顆粒的狀況下，也可達(dá)到2TB的超大容量。

電流互感器類(lèi)似于一個(gè)初級(jí)匝數(shù)很少，次級(jí)匝數(shù)較多的變壓器。理想情況下初次級(jí)電流之比與匝數(shù)比成反比，電流變換比例以初次級(jí)額定電流標(biāo)注，例如“300A/5A”，表示被測(cè)電流為額定值300A時(shí)輸出電流為5A。

在SSD的內(nèi)部構(gòu)造中，快閃存儲(chǔ)器芯片顆粒是決定產(chǎn)品成本、使用壽命與讀寫(xiě)速度的技術(shù)核心，共分為SLC、MLC、TLC三種類(lèi)型。

3D NAND Flash制程技術(shù)也讓TLC SSD的可抹寫(xiě)次數(shù)有所提升。在2D NAND Flash技術(shù)的時(shí)代，提升SSD的容量是要靠著微縮每個(gè)儲(chǔ)存單位，來(lái)增加儲(chǔ)存密度。

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