高功率密度需求面對(duì)高電壓和開關(guān)頻率不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性
發(fā)布時(shí)間:2024/3/14 8:34:16 訪問次數(shù):85
新一代的STM32MP2系列工業(yè)級(jí)微處理器(MPUs)，以推動(dòng)智能工廠、智能醫(yī)療、智能樓宇和智能基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域未來的發(fā)展。
目前的趨勢(shì)是把更多工作任務(wù)下沉到通常部署在物聯(lián)網(wǎng)邊緣的智能設(shè)備上，對(duì)這些設(shè)備提出了響應(yīng)更快、能效更高的要求，我們的嵌入式MPUs專為這種趨勢(shì)設(shè)計(jì)。
STM32MP2新品擴(kuò)展了性能軌跡，引入了我們最強(qiáng)大的處理器引擎，現(xiàn)在更增添了邊緣AI加速器，并且得到STM32生態(tài)系統(tǒng)的支持，從而加快產(chǎn)品開發(fā)周期。
TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。
作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。
為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度、適配更高的電動(dòng)汽車電池電壓并提高整體能效，DCFC必須在更高的電壓和功率水平下運(yùn)行。
以太網(wǎng)供電(PoE)受電設(shè)備(PD)系列產(chǎn)品，為各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用提供一流的集成度和效率。Silicon Labs的Si3406x和Si3404系列產(chǎn)品在單個(gè)PD芯片上包含了所有必要的高壓分立元件。
新的PD IC支持IEEE 802.3 PoE+受電能力、效率超過90%的靈活的電源轉(zhuǎn)換選項(xiàng)、強(qiáng)大的睡眠/喚醒/LED支持模式以及出色的抗電磁干擾能力。應(yīng)用于IP攝像機(jī)、無線接入點(diǎn)、IP電話和智能照明等應(yīng)用領(lǐng)域。
安徽紐本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com
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目前的趨勢(shì)是把更多工作任務(wù)下沉到通常部署在物聯(lián)網(wǎng)邊緣的智能設(shè)備上，對(duì)這些設(shè)備提出了響應(yīng)更快、能效更高的要求，我們的嵌入式MPUs專為這種趨勢(shì)設(shè)計(jì)。
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CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。
作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。
為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度、適配更高的電動(dòng)汽車電池電壓并提高整體能效，DCFC必須在更高的電壓和功率水平下運(yùn)行。
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