新型80V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET®Gen IV MOSFET組合在3.3mmx3.3mm PowerPAIR®3x3FS單體封裝中。

Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時4.5V下邏輯電平導(dǎo)通簡化電路驅(qū)動。

智能手機(jī)和電腦等產(chǎn)品的USB TYPE-C接口非常普及，USB Type-C接口由于其接口特性，很容易遇到高壓而損壞，所以USB接口保護(hù)非常關(guān)鍵。

在USB接口智能保護(hù)開關(guān)方面，國際芯片巨頭占有主要份額。通過多年的努力和IP積累，希荻微的USB接口保護(hù)開關(guān)產(chǎn)品，已經(jīng)實現(xiàn)了技術(shù)和市場的突破，獲得眾多品牌客戶的采用。

HL5075芯片巧妙置于電源輸出與負(fù)載之間,可有效隔離并保護(hù)電源,防止異常電壓和電流對電源和負(fù)載造成損害。

如何檢測無源晶振過驅(qū)：

使用示波器或頻率計測量晶振的輸出頻率，與標(biāo)稱頻率進(jìn)行比較。過驅(qū)通常意味著頻率偏離了晶振設(shè)計規(guī)格書中的規(guī)定頻率范圍。

通過示波器觀察晶振輸出的波形。過驅(qū)可能導(dǎo)致波形失真，如相位噪聲增加、諧波成分增多等。

相位噪聲是評價晶振穩(wěn)定性的重要指標(biāo)，高相位噪聲可能意味著晶振已經(jīng)過驅(qū)。

晶振的頻率會隨溫度變化而變化。在不同溫度下測試晶振的頻率，看其穩(wěn)定性如何，也有助于判斷是否過驅(qū)。

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