上一代產(chǎn)品2.5kVrms隔離器更高支持耐壓高達1200V功率器件
發(fā)布時間:2024/4/6 19:04:39 訪問次數(shù):802
Netsol串口MRAM產(chǎn)品非常適合需要快速頻繁地存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，因為STT-MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。
它們適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器，并可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM。
全新驅(qū)動IC擁有150V/ns（納秒）或更高的CMTI（共模瞬態(tài)抗擾度）性能，在滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開關(guān)速度的同時，帶來可靠的通信與更強的抗噪能力。
主要功能
1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb密度
電源：1.8V（1.71V~1.98V）或3.3V（2.7V~3.6V）
兼容SDR和DDR串行接口的單、雙和四SPI
數(shù)據(jù)保留期：10年
讀取耐久性：無限
寫入耐久性：1014
無需外部ECC
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳和封裝：8WSON、8SOP
柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。
為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kVrms（kV均方根）隔離器，比上一代產(chǎn)品的2.5kVrms隔離器更高，可支持耐壓高達1200V的功率器件。
新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實現(xiàn)柵極驅(qū)動器的基本功能，使其成為低成本變頻器系統(tǒng)的理想選擇。
Netsol串口MRAM產(chǎn)品非常適合需要快速頻繁地存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，因為STT-MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。
它們適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器，并可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM。
全新驅(qū)動IC擁有150V/ns（納秒）或更高的CMTI（共模瞬態(tài)抗擾度）性能，在滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開關(guān)速度的同時，帶來可靠的通信與更強的抗噪能力。
主要功能
1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb密度
電源：1.8V（1.71V~1.98V）或3.3V（2.7V~3.6V）
兼容SDR和DDR串行接口的單、雙和四SPI
數(shù)據(jù)保留期：10年
讀取耐久性：無限
寫入耐久性：1014
無需外部ECC
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳和封裝：8WSON、8SOP
柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。
為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kVrms（kV均方根）隔離器，比上一代產(chǎn)品的2.5kVrms隔離器更高，可支持耐壓高達1200V的功率器件。
新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實現(xiàn)柵極驅(qū)動器的基本功能，使其成為低成本變頻器系統(tǒng)的理想選擇。
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公網(wǎng)安備44030402000607
