MPT工藝的IGBT芯片及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片封裝兼容62mm
發(fā)布時(shí)間:2024/4/5 11:36:32 訪問次數(shù):186
隨著應(yīng)用產(chǎn)品的功能改進(jìn),電路板上的安裝密度越來越高,這就要求分流電阻器體積更小、功率更高。另外,在汽車領(lǐng)域,非?粗卦诟邷丨h(huán)境下也能確保高電流檢測精度。
通過提高功率和擴(kuò)大阻值范圍,進(jìn)一步擴(kuò)大了小型大功率、支持在高溫環(huán)境下使用、高精度的“PMR100”產(chǎn)品陣容。
新產(chǎn)品還保證130℃的額定引腳溫度*2(0.5mΩ、1mΩ的產(chǎn)品)和-65℃~+175℃的工作溫度范圍,確保在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
開關(guān)電源(橋式拓?fù)洌?/span>
門極驅(qū)動(dòng)電路
電隔離的DC-DC轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)器
電隔離的單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)
主要特點(diǎn)和優(yōu)勢
緊湊尺寸:13.85x10.5x9.2mm(長x寬x高)
表面貼裝(SMT)
較短的間隙和爬電距離:分別為8.14mm和9.2mm
低耦合電容:4pF(典型值)
AEC-Q200認(rèn)證并符合AQG標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于振動(dòng)的要求
一款1200V600A C2模塊,該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片。封裝兼容62mm。
該產(chǎn)品具有超低的飽和壓降、超低開關(guān)損耗的特點(diǎn),內(nèi)置全電流正溫度系數(shù)續(xù)流二極管,利于多并聯(lián)使用,主要應(yīng)用在光伏、儲(chǔ)能、電機(jī)控制器等領(lǐng)域。
超低靜態(tài)功耗1.3mA,有效延長了OWS耳機(jī)的待機(jī)時(shí)間;
采用DFN1.6X1.6_8L小封裝,非常適用于OWS耳機(jī),智能手表等可穿戴電子設(shè)備。
隨著應(yīng)用產(chǎn)品的功能改進(jìn),電路板上的安裝密度越來越高,這就要求分流電阻器體積更小、功率更高。另外,在汽車領(lǐng)域,非?粗卦诟邷丨h(huán)境下也能確保高電流檢測精度。
通過提高功率和擴(kuò)大阻值范圍,進(jìn)一步擴(kuò)大了小型大功率、支持在高溫環(huán)境下使用、高精度的“PMR100”產(chǎn)品陣容。
新產(chǎn)品還保證130℃的額定引腳溫度*2(0.5mΩ、1mΩ的產(chǎn)品)和-65℃~+175℃的工作溫度范圍,確保在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
開關(guān)電源(橋式拓?fù)洌?/span>
門極驅(qū)動(dòng)電路
電隔離的DC-DC轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)器
電隔離的單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)
主要特點(diǎn)和優(yōu)勢
緊湊尺寸:13.85x10.5x9.2mm(長x寬x高)
表面貼裝(SMT)
較短的間隙和爬電距離:分別為8.14mm和9.2mm
低耦合電容:4pF(典型值)
AEC-Q200認(rèn)證并符合AQG標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于振動(dòng)的要求
一款1200V600A C2模塊,該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片。封裝兼容62mm。
該產(chǎn)品具有超低的飽和壓降、超低開關(guān)損耗的特點(diǎn),內(nèi)置全電流正溫度系數(shù)續(xù)流二極管,利于多并聯(lián)使用,主要應(yīng)用在光伏、儲(chǔ)能、電機(jī)控制器等領(lǐng)域。
超低靜態(tài)功耗1.3mA,有效延長了OWS耳機(jī)的待機(jī)時(shí)間;
采用DFN1.6X1.6_8L小封裝,非常適用于OWS耳機(jī),智能手表等可穿戴電子設(shè)備。
熱門點(diǎn)擊
- 45納米低功耗技術(shù)為533MHz至800MH
- 與CSP封裝相比QFN封裝還具有更好散熱穩(wěn)定
- 車載設(shè)備提供符合ISO 26262道路車輛功
- 散熱片使客戶能夠設(shè)計(jì)出滿足DOE-6能效標(biāo)準(zhǔn)
- 大于200V/ns業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾性(C
- 元件焊腳位置并插入孔內(nèi)剪去多余部分后下焊時(shí)間
- CAN總線的通信過程中由于阻抗不匹配導(dǎo)致的信
- HDI線寬線距最細(xì)小達(dá)到大約40微米mSAP
- MPT工藝的IGBT芯片及發(fā)射極控制技術(shù)的F
- 點(diǎn)陣投射器模塊與Coherent泛光感應(yīng)元件
推薦技術(shù)資料
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