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抑制器以線性方式控制串接N通道MOSFET最大輸出電壓箝位

發(fā)布時(shí)間:2024/5/18 15:16:57 訪問次數(shù):62

瞬變電壓抑制器(TVS)二極管,從局部箝位ECU電源。更緊湊、容差更嚴(yán)格的方法則是使用主動(dòng)浪涌抑制器,例如LTC4364,該抑制器以線性方式控制串接的N通道MOSFET,將最大輸出電壓箝位至用戶配置的水平(例如,27V)。

浪涌抑制器可以幫助斷開輸出,支持可配置限流值和欠壓鎖定,且可使用背靠背NFET提供通常需要的反向電池保護(hù)。AQR111-B0-C

這些SOA導(dǎo)致的限制隨著工作電壓升高變得更加嚴(yán)重,增加浪涌抑制器在24V和48V系統(tǒng)中使用的難度。

浪涌靜電防護(hù):一個(gè)是對(duì)內(nèi)饋直流電源進(jìn)行浪涌防護(hù),另一個(gè)是對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行防護(hù)。

二級(jí)信號(hào)接口選用ESD靜電保護(hù)二極管DW05DLC-B-S,工作電壓5V、低鉗位電壓18.3V、低漏電流1uA。

根據(jù)IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±30kV(空氣放電)/±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù),根據(jù)IEC 61000-4-5,可承受17A(8/20us)的峰值脈沖電流,對(duì)接口芯片能夠提供可靠的靜電和浪涌保護(hù)。ESD二極管DW05DLC-B-S結(jié)電容1PF,能夠保證射頻信號(hào)傳輸?shù)耐暾浴?/span>

一個(gè)重要的焦點(diǎn)是功率因數(shù)校正(PFC)級(jí),該級(jí)與 EMI 濾波器耦合,在低線路、滿負(fù)載時(shí)會(huì)消耗5%至8%的輸出功率。

一般來說,相關(guān)設(shè)備不會(huì)永久地以其設(shè)計(jì)的最大功率運(yùn)行,而只能短時(shí)間運(yùn)行。 因此,為了有效節(jié)能,“綠色要求”不僅僅針對(duì)滿載效率。

相反,他們傾向于通過指定平均效率或不同負(fù)載情況下的效率比的最低水平來應(yīng)對(duì)實(shí)際操作條件。因此,全負(fù)載以及中負(fù)載和輕負(fù)載效率比已成為需要解決的關(guān)鍵點(diǎn)。

深圳市優(yōu)信沃科技有限公司http://dzsyxw.51dzw.com

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浪涌抑制器可以幫助斷開輸出,支持可配置限流值和欠壓鎖定,且可使用背靠背NFET提供通常需要的反向電池保護(hù)。AQR111-B0-C

這些SOA導(dǎo)致的限制隨著工作電壓升高變得更加嚴(yán)重,增加浪涌抑制器在24V和48V系統(tǒng)中使用的難度。

浪涌靜電防護(hù):一個(gè)是對(duì)內(nèi)饋直流電源進(jìn)行浪涌防護(hù),另一個(gè)是對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行防護(hù)。

二級(jí)信號(hào)接口選用ESD靜電保護(hù)二極管DW05DLC-B-S,工作電壓5V、低鉗位電壓18.3V、低漏電流1uA。

根據(jù)IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±30kV(空氣放電)/±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù),根據(jù)IEC 61000-4-5,可承受17A(8/20us)的峰值脈沖電流,對(duì)接口芯片能夠提供可靠的靜電和浪涌保護(hù)。ESD二極管DW05DLC-B-S結(jié)電容1PF,能夠保證射頻信號(hào)傳輸?shù)耐暾浴?/span>

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一般來說,相關(guān)設(shè)備不會(huì)永久地以其設(shè)計(jì)的最大功率運(yùn)行,而只能短時(shí)間運(yùn)行。 因此,為了有效節(jié)能,“綠色要求”不僅僅針對(duì)滿載效率。

相反,他們傾向于通過指定平均效率或不同負(fù)載情況下的效率比的最低水平來應(yīng)對(duì)實(shí)際操作條件。因此,全負(fù)載以及中負(fù)載和輕負(fù)載效率比已成為需要解決的關(guān)鍵點(diǎn)。

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