帶有片內(nèi)LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3900MHz下變頻混頻器MAX19996A。

單片SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，集優(yōu)異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性于一體，能夠工作于極寬的頻段范圍。

器件具有業(yè)內(nèi)最佳的2LO-2RF雜散抑制：-10dBm RF電平下為67dBc，-5dBm RF電平下為62dBc。

支持2.3GHz至2.9GHz WCS、LTE、WiMAX和MMDS基站中的高邊和低邊LO注入架構(gòu)，此外MAX19996A還可以配置為3.1GHz至3.9GHz WiMAX和LTE低邊注入架構(gòu)。

新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。

進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強(qiáng)化生產(chǎn)設(shè)施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實(shí)現(xiàn)碳中和經(jīng)濟(jì)。

用于IGBT的硅基AE5工藝可將功率損耗降低10%，這一節(jié)能技術(shù)將有助于 EV開發(fā)人員節(jié)省電池電量并增加行駛里程。新產(chǎn)品在保持高穩(wěn)健性的同時(shí)，體積也縮小了約10%。

這款全新器件通過在低功率損耗和高穩(wěn)健性的權(quán)衡中取得最佳平衡,實(shí)現(xiàn)了IGBT行業(yè)領(lǐng)先的性能水平。

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