在高壓多千瓦車(chē)載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率
發(fā)布時(shí)間:2024/5/24 13:33:27 訪問(wèn)次數(shù):85
UJ4SC075009B7S在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻值為9mΩ,可在高壓、多千瓦車(chē)載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。
全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾,以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車(chē)輛動(dòng)力挑戰(zhàn)。
這些第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置,將SiC JFET與硅基MOSFET 合并封裝,從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。SiC FET的效率取決于傳導(dǎo)損耗;得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降,Qorvo的共源共柵結(jié)構(gòu)/JFET方式帶來(lái)了更低的傳導(dǎo)損耗。
UJ4SC075009B7S 的主要特性包括:
閾值電壓 VG(th):4.5V(典型值),允許0至15v驅(qū)動(dòng)電壓
較低的體二極管 VFSD:1.1V
最高工作溫度:175°C
出色的反向恢復(fù)能力:Qrr=338nC
低柵極電荷:QG=75nC
通過(guò)汽車(chē)電子委員會(huì)AEC-Q101認(rèn)證
汽車(chē)降壓-升壓預(yù)調(diào)節(jié)器參考設(shè)計(jì)描述了各種汽車(chē)應(yīng)用(如ADAS,網(wǎng)關(guān)和信息娛樂(lè))所需的典型預(yù)調(diào)節(jié)器應(yīng)用的操作和性能。
它的目的是讓電源設(shè)計(jì)人員直接將電路采用到典型的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,僅根據(jù)系統(tǒng)要求對(duì)元件進(jìn)行最小的更改該設(shè)計(jì)是一個(gè)完整的解決方案,但它也提供訪問(wèn)NCV81599的關(guān)鍵功能。
這些特性包括寬輸入電壓范圍從4.5V到32V,動(dòng)態(tài)編程頻率從150kHz到1.2MHz, I2C接口,獨(dú)立輸入和輸出電流傳感,過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)以及過(guò)溫保護(hù).
深圳市裕碩科技有限公司http://yushuollp.51dzw.com
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全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾,以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車(chē)輛動(dòng)力挑戰(zhàn)。
這些第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置,將SiC JFET與硅基MOSFET 合并封裝,從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。SiC FET的效率取決于傳導(dǎo)損耗;得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降,Qorvo的共源共柵結(jié)構(gòu)/JFET方式帶來(lái)了更低的傳導(dǎo)損耗。
UJ4SC075009B7S 的主要特性包括:
閾值電壓 VG(th):4.5V(典型值),允許0至15v驅(qū)動(dòng)電壓
較低的體二極管 VFSD:1.1V
最高工作溫度:175°C
出色的反向恢復(fù)能力:Qrr=338nC
低柵極電荷:QG=75nC
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汽車(chē)降壓-升壓預(yù)調(diào)節(jié)器參考設(shè)計(jì)描述了各種汽車(chē)應(yīng)用(如ADAS,網(wǎng)關(guān)和信息娛樂(lè))所需的典型預(yù)調(diào)節(jié)器應(yīng)用的操作和性能。
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這些特性包括寬輸入電壓范圍從4.5V到32V,動(dòng)態(tài)編程頻率從150kHz到1.2MHz, I2C接口,獨(dú)立輸入和輸出電流傳感,過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)以及過(guò)溫保護(hù).
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