WN372-GL兼容IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax/be協(xié)議，基于MediaTek Filogic 660 Wi-Fi 7芯片組，支持Wi-Fi 7的160MHz超高帶寬、4096QAM調(diào)制技術(shù)、DFS(Dynamic Frequency Selection，動態(tài)頻率選擇)和MLO(Multi-Link Operation，多鏈路傳輸)技術(shù)，旨在為各類FWA終端提供高速率、低時延、高可靠的Wi-Fi體驗。

MLO技術(shù)帶來頻寬聚合功能，使得WN372-GL支持2.4GHz和5GHz的實時雙頻 (Dual-band simultaneous，DBS)，雙頻并發(fā)速率峰值可達(dá)7.2Gbps。

得益于卓越的天線設(shè)計，WN372-GL支持5天線設(shè)計，并采用 Multi-RU 和4*4 MU-MIMO，在多流量使用、多設(shè)備連接環(huán)境下降低信號之間的相互干擾，并提升傳輸效率和網(wǎng)絡(luò)連接的穩(wěn)定性。

OPJ301的封裝類型包括DIP-8、SOIC-8、MSOP-8和SOT23-5;OPJ3012為2通道版本，提供DIP-8、SOIC-8和MSOP-8封裝。所有版本的工作溫度范圍為-40°C至+125°C。

LM2594MX-5.0/NOPB

功率半導(dǎo)體最重要的特征之一就是其帶隙。用寬帶隙半導(dǎo)體制成的晶體管能夠在材料失效和晶體管損壞之前承受非常強(qiáng)的電場。

氮化鋁（AlN）的帶隙高達(dá)6.20eV，優(yōu)于鎵氮化物的3.40eV和碳化硅(SiC)的3.26eV。

使用硅（Si）、碳化硅(SiC)及氮化鎵(GaN)等材料作為功率半導(dǎo)體時，在功率半導(dǎo)體通電及反復(fù)打開關(guān)閉開關(guān)時，電會變?yōu)闊岫右�，因此會產(chǎn)生電力損失。理論上，氮化鋁比硅等的電力損失更小，但難以制作元器件，一直沒有被用于實證。

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